Mostrar el registro sencillo del ítem
dc.contributor.author
Sambuco Salomone, Lucas Ignacio
dc.contributor.author
García Inza, Mariano Andrés
dc.contributor.author
Carbonetto, Sebastián Horacio
dc.contributor.author
Lipovetzky, José
dc.contributor.author
Redin, Eduardo Gabriel
dc.contributor.author
Faigon, Adrián Néstor
dc.date.available
2023-09-21T14:26:11Z
dc.date.issued
2022-04
dc.identifier.citation
Sambuco Salomone, Lucas Ignacio; García Inza, Mariano Andrés; Carbonetto, Sebastián Horacio; Lipovetzky, José; Redin, Eduardo Gabriel; et al.; Numerical modeling of radiation-induced charge neutralization in MOS devices; Pergamon-Elsevier Science Ltd; Radiation Measurements; 153; 4-2022; 1-5
dc.identifier.issn
1350-4487
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/212492
dc.description.abstract
Radiation-induced charge neutralization at different bias is studied for 230 nm p-channel MOS dosimeters under γ-radiation. A physics-based numerical model is employed to reproduce the experimental results. Good agreement is obtained between measurements and simulations considering capture and neutralization rates independent of electric field during neutralization stages. Sensitivity curves during neutralization stages show a two part process consisting of a slow decrease for short times followed by a rapid fall. Remarkably, the model predicts this behavior and allows to understand that in terms of the potential well generated due to trapped holes within the oxide.
dc.format
application/pdf
dc.language.iso
eng
dc.publisher
Pergamon-Elsevier Science Ltd
dc.rights
info:eu-repo/semantics/restrictedAccess
dc.rights
Atribución-NoComercial-CompartirIgual 2.5 Argentina (CC BY-NC-SA 2.5 AR)
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.subject
MOS DOSIMETRY
dc.subject
MOSFETS
dc.subject
NUMERICAL MODELING
dc.subject.classification
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
dc.subject.classification
Ingeniería Eléctrica, Ingeniería Electrónica e Ingeniería de la Información
dc.subject.classification
INGENIERÍAS Y TECNOLOGÍAS
dc.title
Numerical modeling of radiation-induced charge neutralization in MOS devices
dc.type
info:eu-repo/semantics/article
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.date.updated
2023-07-07T22:53:51Z
dc.journal.volume
153
dc.journal.pagination
1-5
dc.journal.pais
Estados Unidos
dc.description.fil
Fil: Sambuco Salomone, Lucas Ignacio. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos Microelectrónica; Argentina
dc.description.fil
Fil: García Inza, Mariano Andrés. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos Microelectrónica; Argentina
dc.description.fil
Fil: Carbonetto, Sebastián Horacio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos Microelectrónica; Argentina
dc.description.fil
Fil: Lipovetzky, José. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina
dc.description.fil
Fil: Redin, Eduardo Gabriel. Universidad de Buenos Aires; Argentina
dc.description.fil
Fil: Faigon, Adrián Néstor. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos Microelectrónica; Argentina
dc.journal.title
Radiation Measurements
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1350448722000415
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/https://doi.org/10.1016/j.radmeas.2022.106745
Archivos asociados
Tamaño:
2.637Mb
Formato:
PDF