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dc.contributor.author
Villavicencio, Facundo Lautaro
dc.contributor.author
Ferreyra, J. M.
dc.contributor.author
Bridoux, German
dc.contributor.author
Villafuerte, Manuel Jose
dc.date.available
2023-08-16T20:21:22Z
dc.date.issued
2022-03
dc.identifier.citation
Villavicencio, Facundo Lautaro; Ferreyra, J. M.; Bridoux, German; Villafuerte, Manuel Jose; Linear bounded potential model for semiconductor band bending; IOP Publishing; Semiconductor Science And Technology; 37; 3; 3-2022; 1-8
dc.identifier.issn
0268-1242
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/208530
dc.description.abstract
We propose a simple but unexplored model for the semiconductor band bending with the aim to obtain a relatively simple expression to calculate the energy spectrum for the confined levels and the analytical expressions for wave-functions. This model consists of a linear potential but it is bounded or trimmed in energy unlike the well known wedge potential (WP) model. We present exact solutions for this potential in the frame of the effective mass approximation and they are valid for electron or hole confinement potential. This model provides a more adequate physical scenario than the WP since it takes into account the charge balance involved in the band bending potential. These results allow to treat confined potential problems as in the case of a two-dimensional electron gas in a simplified way. We discuss the application of this approximation to the recombination time of electrons an holes and for the Franz-Keldysh effect.
dc.format
application/pdf
dc.language.iso
eng
dc.publisher
IOP Publishing
dc.rights
info:eu-repo/semantics/restrictedAccess
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.subject
BAND BENDING
dc.subject
SEMICONDUCTORS
dc.subject
SURFACE
dc.subject.classification
Física de los Materiales Condensados
dc.subject.classification
Ciencias Físicas
dc.subject.classification
CIENCIAS NATURALES Y EXACTAS
dc.title
Linear bounded potential model for semiconductor band bending
dc.type
info:eu-repo/semantics/article
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.date.updated
2023-07-07T19:26:48Z
dc.journal.volume
37
dc.journal.number
3
dc.journal.pagination
1-8
dc.journal.pais
Reino Unido
dc.journal.ciudad
Londres
dc.description.fil
Fil: Villavicencio, Facundo Lautaro. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología. Departamento de Física. Laboratorio de Física del Sólido; Argentina
dc.description.fil
Fil: Ferreyra, J. M.. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología. Departamento de Física. Laboratorio de Física del Sólido; Argentina
dc.description.fil
Fil: Bridoux, German. Universidad Nacional de Tucumán. Instituto de Física del Noroeste Argentino. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet Noa Sur. Instituto de Física del Noroeste Argentino; Argentina. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología. Departamento de Física. Laboratorio de Física del Sólido; Argentina
dc.description.fil
Fil: Villafuerte, Manuel Jose. Universidad Nacional de Tucumán. Instituto de Física del Noroeste Argentino. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet Noa Sur. Instituto de Física del Noroeste Argentino; Argentina. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología. Departamento de Física. Laboratorio de Física del Sólido; Argentina
dc.journal.title
Semiconductor Science And Technology
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6641/ac4a20
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/ac4a20
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