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Artículo

Evidences of the Defect Pool Model in the dark J-V characteristics of hydrogenated amorphous silicon based p-i-n devices

Sturiale, Alejandro Ernesto; Rubinelli, Francisco AlbertoIcon
Fecha de publicación: 04/2008
Editorial: Elsevier Science Sa
Revista: Thin Solid Films
ISSN: 0040-6090
Idioma: Inglés
Tipo de recurso: Artículo publicado
Clasificación temática:
Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Resumen

In the scientific literature the density of states of hydrogenated amorphous silicon has been assumed to be either uniform or spatially variable inside the intrinsic layer of p-i-n solar cells. The dependence of the dark current voltage characteristics of amorphous silicon based solar cells with respect to the intrinsic layer thickness and to the mobility gap of a thin interfacial layer grown at the p/i interface is explored with numerical techniques. Our results indicate that the reported experimental trends can be adequately explained with the defect pool model and not by assuming an uniform density of states in the intrinsic layer.
Palabras clave: Defect Pool , Amorphous Silicon , Solar Cells , Dark Current Voltage Characteristics
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info:eu-repo/semantics/openAccess Excepto donde se diga explícitamente, este item se publica bajo la siguiente descripción: Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 2.5 Unported (CC BY-NC-SA 2.5)
Identificadores
URI: http://hdl.handle.net/11336/19802
DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2008.04.002
URL: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609008003544?via%3Dihub
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Citación
Sturiale, Alejandro Ernesto; Rubinelli, Francisco Alberto; Evidences of the Defect Pool Model in the dark J-V characteristics of hydrogenated amorphous silicon based p-i-n devices; Elsevier Science Sa; Thin Solid Films; 516; 21; 4-2008; 7708-7714
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