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dc.contributor.author
Carbonetto, Sebastián Horacio  
dc.contributor.author
García Inza, Mariano Andrés  
dc.contributor.author
Lipovetzky, José  
dc.contributor.author
Redin, Eduardo Gabriel  
dc.contributor.author
Sambuco Salomone, Lucas Ignacio  
dc.contributor.author
Faigon, Adrian Nestor  
dc.date.available
2023-04-11T13:25:44Z  
dc.date.issued
2011-09  
dc.identifier.citation
Carbonetto, Sebastián Horacio; García Inza, Mariano Andrés; Lipovetzky, José; Redin, Eduardo Gabriel; Sambuco Salomone, Lucas Ignacio; et al.; Zero temperature coefficient bias in MOS devices. Dependence on interface traps density, application to MOS dosimetry; Institute of Electrical and Electronics Engineers; Ieee Transactions on Nuclear Science; 58; 6 PART 2; 9-2011; 3348-3353  
dc.identifier.issn
0018-9499  
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/193204  
dc.description.abstract
In this paper the influence of temperature fluctuations on the response of thick gate oxide metal oxide semiconductor dosimeters is reviewed and the zero temperature coefficient (ZTC) method is evaluated for error compensation. The response of the ZTC current to irradiation is studied showing that the error compensation impoverishes with absorbed dose. Finally, an explanation and analytic expression for the shifts in the ZTC current with irradiation based on the interface traps creation is proposed and verified with experimental data.  
dc.format
application/pdf  
dc.language.iso
eng  
dc.publisher
Institute of Electrical and Electronics Engineers  
dc.rights
info:eu-repo/semantics/openAccess  
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/  
dc.subject
DOSIMETRY  
dc.subject
IONIZING RADIATION SENSORS  
dc.subject
MOS DEVICES  
dc.subject
RADIATION EFFECTS  
dc.subject
TEMPERATURE  
dc.subject.classification
Otras Ingeniería Eléctrica, Ingeniería Electrónica e Ingeniería de la Información  
dc.subject.classification
Ingeniería Eléctrica, Ingeniería Electrónica e Ingeniería de la Información  
dc.subject.classification
INGENIERÍAS Y TECNOLOGÍAS  
dc.subject.classification
Física Nuclear  
dc.subject.classification
Ciencias Físicas  
dc.subject.classification
CIENCIAS NATURALES Y EXACTAS  
dc.title
Zero temperature coefficient bias in MOS devices. Dependence on interface traps density, application to MOS dosimetry  
dc.type
info:eu-repo/semantics/article  
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo  
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion  
dc.date.updated
2023-04-11T11:51:16Z  
dc.journal.volume
58  
dc.journal.number
6 PART 2  
dc.journal.pagination
3348-3353  
dc.journal.pais
Estados Unidos  
dc.description.fil
Fil: Carbonetto, Sebastián Horacio. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina  
dc.description.fil
Fil: García Inza, Mariano Andrés. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería; Argentina  
dc.description.fil
Fil: Lipovetzky, José. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina  
dc.description.fil
Fil: Redin, Eduardo Gabriel. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería; Argentina  
dc.description.fil
Fil: Sambuco Salomone, Lucas Ignacio. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería; Argentina  
dc.description.fil
Fil: Faigon, Adrian Nestor. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería; Argentina  
dc.journal.title
Ieee Transactions on Nuclear Science  
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2011.2170430  
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://ieeexplore.ieee.org/document/6065778  

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Tamaño: 179.4Kb
Formato: PDF
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