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dc.contributor.author
Carra, Martin Javier
dc.contributor.author
Tacca, Hernán Emilio
dc.contributor.author
Lipovetzky, José
dc.date.available
2022-12-21T13:32:30Z
dc.date.issued
2021-09
dc.identifier.citation
Carra, Martin Javier; Tacca, Hernán Emilio; Lipovetzky, José; Performance evaluation of GaN and Si based driver circuits for a SiC MOSFET power switch; Institute of Advanced Engineering and Science; International Journal of Power Electronics and Drive Systems; 12; 3; 9-2021; 1293-1303
dc.identifier.issn
2088-8694
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/181951
dc.description.abstract
Silicon Carbide (SiC), new power switches (PSW) require new driver circuits which can take advantage of their new capabilities. In this paper a novel Gallium Nitride (GaN) based gate driver is proposed as a solution to control SiC power switches. The proposed driver is implemented and is performance compared with its silicon (Si) counterparts on a hard switching environment. A thorough evaluation of the energy involved in the switching process is presented showing that the GaN based circuit exhibits similar output losses but reduces the control power needed to operate at a specified frequency.
dc.format
application/pdf
dc.language.iso
eng
dc.publisher
Institute of Advanced Engineering and Science
dc.rights
info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-sa/2.5/ar/
dc.subject
GAN
dc.subject
GATE DRIVER
dc.subject
PERFORMANCE
dc.subject
SIC
dc.subject.classification
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
dc.subject.classification
Ingeniería Eléctrica, Ingeniería Electrónica e Ingeniería de la Información
dc.subject.classification
INGENIERÍAS Y TECNOLOGÍAS
dc.title
Performance evaluation of GaN and Si based driver circuits for a SiC MOSFET power switch
dc.type
info:eu-repo/semantics/article
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.date.updated
2022-10-04T14:42:51Z
dc.identifier.eissn
2722-256X
dc.journal.volume
12
dc.journal.number
3
dc.journal.pagination
1293-1303
dc.journal.pais
Indonesia
dc.journal.ciudad
Kabupaten Bantul
dc.description.fil
Fil: Carra, Martin Javier. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Electrónica; Argentina
dc.description.fil
Fil: Tacca, Hernán Emilio. Universidad de Buenos Aires; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro. Archivo Histórico del Centro Atómico Bariloche e Instituto Balseiro | Universidad Nacional de Cuyo. Instituto Balseiro. Archivo Histórico del Centro Atómico Bariloche e Instituto Balseiro; Argentina
dc.description.fil
Fil: Lipovetzky, José. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche | Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina
dc.journal.title
International Journal of Power Electronics and Drive Systems
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.11591/ijpeds.v12.i3.pp1293-1303
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://ijpeds.iaescore.com/index.php/IJPEDS/article/view/20592
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Tamaño:
820.7Kb
Formato:
PDF