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dc.contributor.author
Pazos, Sebastián Matías  
dc.contributor.author
Aguirre, Fernando Leonel  
dc.contributor.author
Palumbo, Félix Roberto Mario  
dc.contributor.author
Silveira, Fernando  
dc.date.available
2022-10-05T13:53:18Z  
dc.date.issued
2020-11  
dc.identifier.citation
Pazos, Sebastián Matías; Aguirre, Fernando Leonel; Palumbo, Félix Roberto Mario; Silveira, Fernando; Hot-carrier-injection resilient RF power amplifier using adaptive bias; Elsevier; Microelectronics Reliability; 114; 11-2020; 1-5  
dc.identifier.issn
0026-2714  
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/171939  
dc.description.abstract
An adaptive bias strategy is proposed to harden fully integrated CMOS RF power amplifiers against time-dependent parametric degradation due to hot carrier injection. PA transistor DC current is compared to a reference using an operational transconductance amplifier that provides an adaptive gate DC voltage to the PA transistor as its threshold voltage increases due to stress. Based on degradation modelling obtained from experimental accelerated aging of a transistor and a RF PA implemented on a 130 nm technology, time dependent simulation results of the adaptive bias show that the proposed circuit effectively compensates for the threshold voltage increase of the main transistor.  
dc.format
application/pdf  
dc.language.iso
eng  
dc.publisher
Elsevier  
dc.rights
info:eu-repo/semantics/restrictedAccess  
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/  
dc.subject
CMOS  
dc.subject
BAND STRUCTURE  
dc.subject
INTERFACES  
dc.subject.classification
Física de los Materiales Condensados  
dc.subject.classification
Ciencias Físicas  
dc.subject.classification
CIENCIAS NATURALES Y EXACTAS  
dc.title
Hot-carrier-injection resilient RF power amplifier using adaptive bias  
dc.type
info:eu-repo/semantics/article  
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo  
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion  
dc.date.updated
2022-10-03T17:51:47Z  
dc.journal.volume
114  
dc.journal.pagination
1-5  
dc.journal.pais
Países Bajos  
dc.journal.ciudad
Amsterdam  
dc.description.fil
Fil: Pazos, Sebastián Matías. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires. Unidad de Investigación y Desarrollo de las Ingenierías; Argentina  
dc.description.fil
Fil: Aguirre, Fernando Leonel. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires. Unidad de Investigación y Desarrollo de las Ingenierías; Argentina  
dc.description.fil
Fil: Palumbo, Félix Roberto Mario. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires. Unidad de Investigación y Desarrollo de las Ingenierías; Argentina  
dc.description.fil
Fil: Silveira, Fernando. Universidad de la República; Uruguay  
dc.journal.title
Microelectronics Reliability  
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0026271420304856  
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1016/j.microrel.2020.113912  

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Formato: PDF
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