Obtención de Películas Delgadas de Silicio Policristalino a partir de Clorosilanos en Reactores de CVD

Abstract

En este trabajo se presentan resultados obtenidos en la deposición y caracterización estructural de láminas delgadas de silicio policristalino. Como método de deposición se usó el CVD térmico a partir de triclorosilano, y como sustrato un vidrio comercial de alta temperatura. Se logró la deposición de películas policristalinas, con tamaños de grano entre 0,2 y 0,5 micrones, a temperaturas de entre 730 y 840 ºC. Las muestras presentan un crecimiento tipo columnar y una clara orientación cristalina (2 2 0). Estas características serían propicias para el transporte electrónico en la dirección perpendicular al sustrato.

In this work, results obtained from the deposition and structural characterization of polycrystalline silicon thin films are presented. Thermal CVD from trichlorosilane was used as deposition method, and a high temperature commercial glass was used as substrate. The deposition of polycrystalline films with grain sizes between 0.2 and 0.5 microns was achieved, at temperatures in the range of 730 to 840 ºC. The samples present a columnar type growth and a clear (2 2 0) crystal orientation. This characteristics would be suitable for the electronic transport in the direction perpendicular to the substrate.