Repositorio Institucional
Repositorio Institucional
CONICET Digital
  • Inicio
  • EXPLORAR
    • AUTORES
    • DISCIPLINAS
    • COMUNIDADES
  • Estadísticas
  • Novedades
    • Noticias
    • Boletines
  • Ayuda
    • General
    • Datos de investigación
  • Acerca de
    • CONICET Digital
    • Equipo
    • Red Federal
  • Contacto
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
  • INFORMACIÓN GENERAL
  • RESUMEN
  • ESTADISTICAS
 
Artículo

Obtención de Películas Delgadas de Silicio Policristalino a partir de Clorosilanos en Reactores de CVD

Benvenuto, Ariel GastónIcon ; Schmidt, Javier AlejandroIcon ; Buitrago, Roman HoracioIcon
Fecha de publicación: 10/2011
Editorial: Asociación Física Argentina
Revista: Anales AFA
ISSN: 0327-358X
Idioma: Español
Tipo de recurso: Artículo publicado
Clasificación temática:
Otras Ingeniería de los Materiales; Física de los Materiales Condensados

Resumen

 
En este trabajo se presentan resultados obtenidos en la deposición y caracterización estructural de láminas delgadas de silicio policristalino. Como método de deposición se usó el CVD térmico a partir de triclorosilano, y como sustrato un vidrio comercial de alta temperatura. Se logró la deposición de películas policristalinas, con tamaños de grano entre 0,2 y 0,5 micrones, a temperaturas de entre 730 y 840 ºC. Las muestras presentan un crecimiento tipo columnar y una clara orientación cristalina (2 2 0). Estas características serían propicias para el transporte electrónico en la dirección perpendicular al sustrato.
 
In this work, results obtained from the deposition and structural characterization of polycrystalline silicon thin films are presented. Thermal CVD from trichlorosilane was used as deposition method, and a high temperature commercial glass was used as substrate. The deposition of polycrystalline films with grain sizes between 0.2 and 0.5 microns was achieved, at temperatures in the range of 730 to 840 ºC. The samples present a columnar type growth and a clear (2 2 0) crystal orientation. This characteristics would be suitable for the electronic transport in the direction perpendicular to the substrate.
 
Palabras clave: Películas Delgadas , Silicio Policristalino , Cvd
Ver el registro completo
 
Archivos asociados
Thumbnail
 
Tamaño: 514.9Kb
Formato: PDF
.
Descargar
Licencia
info:eu-repo/semantics/openAccess Excepto donde se diga explícitamente, este item se publica bajo la siguiente descripción: Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 2.5 Unported (CC BY-NC-SA 2.5)
Identificadores
URI: http://hdl.handle.net/11336/13478
URL: http://anales.fisica.org.ar/journal/index.php/analesafa/article/view/436/445
Colecciones
Articulos(INTEC)
Articulos de INST.DE DES.TECNOL.PARA LA IND.QUIMICA (I)
Citación
Benvenuto, Ariel Gastón; Schmidt, Javier Alejandro; Buitrago, Roman Horacio; Obtención de Películas Delgadas de Silicio Policristalino a partir de Clorosilanos en Reactores de CVD; Asociación Física Argentina; Anales AFA; 22; 2; 10-2011; 56-59
Compartir

Enviar por e-mail
Separar cada destinatario (hasta 5) con punto y coma.
  • Facebook
  • X Conicet Digital
  • Instagram
  • YouTube
  • Sound Cloud
  • LinkedIn

Los contenidos del CONICET están licenciados bajo Creative Commons Reconocimiento 2.5 Argentina License

https://www.conicet.gov.ar/ - CONICET

Inicio

Explorar

  • Autores
  • Disciplinas
  • Comunidades

Estadísticas

Novedades

  • Noticias
  • Boletines

Ayuda

Acerca de

  • CONICET Digital
  • Equipo
  • Red Federal

Contacto

Godoy Cruz 2290 (C1425FQB) CABA – República Argentina – Tel: +5411 4899-5400 repositorio@conicet.gov.ar
TÉRMINOS Y CONDICIONES