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dc.contributor.author
Ferreyra, Cristian Daniel
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dc.contributor.author
Sánchez, M.J.
dc.contributor.author
Aguirre, Myriam
dc.contributor.author
Acha, Carlos Enrique
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dc.contributor.author
Bengió, Silvina
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dc.contributor.author
Lecourt, J.
dc.contributor.author
Lüders, U.
dc.contributor.author
Rubi, Diego
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dc.date.available
2021-01-27T14:56:46Z
dc.date.issued
2020-01
dc.identifier.citation
Ferreyra, Cristian Daniel; Sánchez, M.J.; Aguirre, Myriam; Acha, Carlos Enrique; Bengió, Silvina; et al.; Selective activation of memristive interfaces in TaOx-based devices by controlling oxygen vacancies dynamics at the nanoscale; IOP Publishing; Nanotechnology; 31; 15; 1-2020; 1-24
dc.identifier.issn
0957-4484
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/123898
dc.description.abstract
The development of novel devices for neuromorphic computing and non-traditional logic operations largely relies on the fabrication of well controlled memristive systems with functionalities beyond standard bipolar behavior and digital ON-OFF states. In the present work we demonstrate for Ta2O5-based devices that it is possible to selectively activate/deactivate two series memristive interfaces in order to obtain clockwise or counter-clockwise multilevel squared remanent resistance loops, just by controlling both the electroforming process and the (a)symmetry of the applied stimuli, and independently of the nature of the used metallic electrodes. Based on our thorough characterization, analysis and modeling, we show that the physical origin of this electrical behavior relies on controlled oxygen vacancies electromigration between three different nanoscopic zones of the active Ta2O5-x layer: a central one and two quasi-symmetric interfaces with reduced TaO2-h(y) layers. Our devices fabrication process is rather simple as it implies the room temperature deposition of only one CMOS compatible oxide - Ta-oxide - and one metal, suggesting that it might be possible to take advantage of these properties at low cost and with easy scability. The tunable opposite remanent resistance loops circulations with multiple - analogic - intermediate stable states allows mimicking the adaptable synaptic weight of biological systems and presents potential for non-standard logic devices.
dc.format
application/pdf
dc.language.iso
eng
dc.publisher
IOP Publishing
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dc.rights
info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.subject
MEMRISTIVE SYSTEMS
dc.subject
OXIDE ELECTRONICS
dc.subject
OXYGEN VACANCIES DYNAMICS AT THE NANOSCALE
dc.subject.classification
Física de los Materiales Condensados
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dc.subject.classification
Ciencias Físicas
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dc.subject.classification
CIENCIAS NATURALES Y EXACTAS
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dc.title
Selective activation of memristive interfaces in TaOx-based devices by controlling oxygen vacancies dynamics at the nanoscale
dc.type
info:eu-repo/semantics/article
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.date.updated
2020-12-16T18:34:12Z
dc.journal.volume
31
dc.journal.number
15
dc.journal.pagination
1-24
dc.journal.pais
Reino Unido
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dc.journal.ciudad
Londres
dc.description.fil
Fil: Ferreyra, Cristian Daniel. Consejo Nacional de Investigaciones Cientificas y Tecnicas. Oficina de Coordinacion Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia - Nodo Constituyentes | Comision Nacional de Energia Atomica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia - Nodo Constituyentes.; Argentina
dc.description.fil
Fil: Sánchez, M.J.. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
dc.description.fil
Fil: Aguirre, Myriam. Universidad de Zaragoza; España
dc.description.fil
Fil: Acha, Carlos Enrique. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Instituto de Física de Buenos Aires. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Instituto de Física de Buenos Aires; Argentina
dc.description.fil
Fil: Bengió, Silvina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche | Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche; Argentina
dc.description.fil
Fil: Lecourt, J.. Centre National de la Recherche Scientifique; Francia
dc.description.fil
Fil: Lüders, U.. Centre National de la Recherche Scientifique; Francia
dc.description.fil
Fil: Rubi, Diego. Consejo Nacional de Investigaciones Cientificas y Tecnicas. Oficina de Coordinacion Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia - Nodo Constituyentes | Comision Nacional de Energia Atomica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnologia - Nodo Constituyentes.; Argentina
dc.journal.title
Nanotechnology
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dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6528/ab6476
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ab6476
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