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dc.contributor.author
Morán, M.
dc.contributor.author
Condó, A.M.
dc.contributor.author
Suárez, S.
dc.contributor.author
Soldera, F.
dc.contributor.author
Haberkorn, Nestor Fabian
dc.date.available
2021-01-27T11:58:10Z
dc.date.issued
2019-11
dc.identifier.citation
Morán, M.; Condó, A.M.; Suárez, S.; Soldera, F.; Haberkorn, Nestor Fabian; Ion implantation inducing two-way shape memory effect in Cu-Al-Ni thin films; Elsevier Science; Materials Letters; 255; 11-2019; 1-8
dc.identifier.issn
0167-577X
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/123849
dc.description.abstract
We report two-way shape memory effect (TWSME) induced by Al ion implantation in 6 μm thick Cu-Al-Ni thin films. The films display an average grain size of 3.7 μm and a martensitic transformation temperature (MS) of ≈ 240 K. The film was irradiated with 2 MeV Al ions with a fluence of 6 × 1015 ion.cm−2 (penetration distance up to ≈ 1.1 μm). After irradiation, the film displays well defined TWSME with a radius of curvature of ≈ 1 mm. The results indicate that the irradiation produces mainly changes in the austenitic order.
dc.format
application/pdf
dc.language.iso
eng
dc.publisher
Elsevier Science
dc.rights
info:eu-repo/semantics/restrictedAccess
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.subject
CU-AL-NI
dc.subject
IRRADIATION
dc.subject
SHAPE MEMORY ALLOYS
dc.subject
THIN FILMS
dc.subject.classification
Física de los Materiales Condensados
dc.subject.classification
Ciencias Físicas
dc.subject.classification
CIENCIAS NATURALES Y EXACTAS
dc.title
Ion implantation inducing two-way shape memory effect in Cu-Al-Ni thin films
dc.type
info:eu-repo/semantics/article
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.date.updated
2020-12-16T18:21:19Z
dc.journal.volume
255
dc.journal.pagination
1-8
dc.journal.pais
Países Bajos
dc.journal.ciudad
Amsterdam
dc.description.fil
Fil: Morán, M.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina
dc.description.fil
Fil: Condó, A.M.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Centro Atómico Bariloche; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina
dc.description.fil
Fil: Suárez, S.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina
dc.description.fil
Fil: Soldera, F.. Universitat Saarland; Alemania
dc.description.fil
Fil: Haberkorn, Nestor Fabian. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche | Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología - Nodo Bariloche; Argentina
dc.journal.title
Materials Letters
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/https://doi.org/10.1016/j.matlet.2019.126569
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