Artículo

Ion implantation inducing two-way shape memory effect in Cu-Al-Ni thin films

Morán, M.; Condó, A.M.; Suárez, S.; Soldera, F.; Haberkorn, Nestor FabianIcon
Fecha de publicación: 11/2019
Editorial: Elsevier Science
Revista: Materials Letters
ISSN: 0167-577X
Idioma: Inglés
Tipo de recurso: Artículo publicado
Clasificación temática:

Resumen

We report two-way shape memory effect (TWSME) induced by Al ion implantation in 6 μm thick Cu-Al-Ni thin films. The films display an average grain size of 3.7 μm and a martensitic transformation temperature (MS) of ≈ 240 K. The film was irradiated with 2 MeV Al ions with a fluence of 6 × 1015 ion.cm−2 (penetration distance up to ≈ 1.1 μm). After irradiation, the film displays well defined TWSME with a radius of curvature of ≈ 1 mm. The results indicate that the irradiation produces mainly changes in the austenitic order.
Palabras clave: CU-AL-NI , IRRADIATION , SHAPE MEMORY ALLOYS , THIN FILMS
 
Archivos asociados
Tamaño: 260.0Kb
Formato: PDF
.
Licencia
info:eu-repo/semantics/restrictedAccess Excepto donde se diga explícitamente, este item se publica bajo la siguiente descripción: Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 2.5 Unported (CC BY-NC-SA 2.5)
Identificadores
URI: http://hdl.handle.net/11336/123849
DOI: https://doi.org/10.1016/j.matlet.2019.126569
Colecciones
Articulos (UE-INN - NODO BARILOCHE)
Articulos de UNIDAD EJECUTORA INSTITUTO DE NANOCIENCIA Y NANOTECNOLOGIA - NODO BARILOCHE
Citación
Morán, M.; Condó, A.M.; Suárez, S.; Soldera, F.; Haberkorn, Nestor Fabian; Ion implantation inducing two-way shape memory effect in Cu-Al-Ni thin films; Elsevier Science; Materials Letters; 255; 11-2019; 1-8
Compartir
Altmétricas