Estudio de las propiedades dosimétricas de topacios sintéticos

Abstract

Cuando un material dieléctrico o semiconductor es irradiado, las cargas excitadas por la radiación ionizante pueden relajar a través de transiciones radiativas emitiendo luz (radioluminiscencia, RL) o pueden quedar atrapadas en centros metaestables o trampas por tiempos muy largos. Una vez finalizada la irradiación, la relajación radiativa de estas cargas atrapadas puede estimularse aumentando la temperatura del material (termoluminiscencia, TL) o estimulándolo ópticamente (luminiscencia estimulada ópticamente, OSL). Como en general la intensidad de la luz emitida durante la irradiación es proporcional a la tasa de dosis y la emitida durante los procesos de TL u OSL es proporcional a la dosis absorbida, estos fenómenos se han aprovechado tanto en dosimetría personal, ambiental e industrial. Si bien se han estudiado y caracterizado un gran número de materiales luminiscentes, varios de ellos suelen presentar una sub- o sobre- respuesta comparada con la dosis depositada en tejido humano debido a que estos materiales no son tejido-equivalentes (T-E). Esto hace que dichos compuestos se comporten frente a la radiación de manera diferente al tejido tratado, dificultando así su aplicabilidad directa en radioterapia. En este contexto, este trabajo presenta las propiedades dosimétricas de topacios sintéticos para su posible aplicación como dosímetro.