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dc.contributor.author
Aguirre, Fernando Leonel
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dc.contributor.author
Pazos, Sebastián Matías
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dc.contributor.author
Palumbo, Félix Roberto Mario
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dc.contributor.author
Fadida, S.
dc.contributor.author
Winter, R.
dc.contributor.author
Eizenberg, M.
dc.date.available
2020-01-07T16:17:22Z
dc.date.issued
2018-04
dc.identifier.citation
Aguirre, Fernando Leonel; Pazos, Sebastián Matías; Palumbo, Félix Roberto Mario; Fadida, S.; Winter, R.; et al.; Effect of forming gas annealing on the degradation properties of Ge-based MOS stacks; American Institute of Physics; Journal of Applied Physics; 123; 13; 4-2018; 1-36
dc.identifier.issn
0021-8979
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/93779
dc.description.abstract
The influence of forming gas annealing on the degradation at a constant stress voltage of multi-layered germanium-based Metal-Oxide-Semiconductor capacitors (p-Ge/GeOx/Al2O3/High-K/Metal Gate) has been analyzed in terms of the C-V hysteresis and flat band voltage as a function of both negative and positive stress fields. Significant differences were found for the case of negative voltage stress between the annealed and non-annealed samples, independently of the stressing time. It was found that the hole trapping effect decreases in the case of the forming gas annealed samples, indicating strong passivation of defects with energies close to the valence band existing in the oxide-semiconductor interface during the forming gas annealing. Finally, a comparison between the degradation dynamics of Germanium and III-V (n-InGaAs) MOS stacks is presented to summarize the main challenges in the integration of reliable Ge–III-V hybrid devices.
dc.format
application/pdf
dc.language.iso
eng
dc.publisher
American Institute of Physics
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dc.rights
info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.subject
DIELECTRICOS
dc.subject
Ge
dc.subject
HIGH-K
dc.subject
MOS
dc.subject.classification
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
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dc.subject.classification
Ingeniería Eléctrica, Ingeniería Electrónica e Ingeniería de la Información
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dc.subject.classification
INGENIERÍAS Y TECNOLOGÍAS
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dc.subject.classification
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
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dc.subject.classification
Ingeniería Eléctrica, Ingeniería Electrónica e Ingeniería de la Información
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dc.subject.classification
INGENIERÍAS Y TECNOLOGÍAS
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dc.title
Effect of forming gas annealing on the degradation properties of Ge-based MOS stacks
dc.type
info:eu-repo/semantics/article
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.date.updated
2019-12-16T19:13:17Z
dc.journal.volume
123
dc.journal.number
13
dc.journal.pagination
1-36
dc.journal.pais
Estados Unidos
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dc.description.fil
Fil: Aguirre, Fernando Leonel. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
dc.description.fil
Fil: Pazos, Sebastián Matías. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina
dc.description.fil
Fil: Palumbo, Félix Roberto Mario. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Universidad Tecnológica Nacional. Facultad Regional Buenos Aires; Argentina
dc.description.fil
Fil: Fadida, S.. Technion - Israel Institute of Technology; Israel
dc.description.fil
Fil: Winter, R.. Technion - Israel Institute of Technology; Israel
dc.description.fil
Fil: Eizenberg, M.. Technion - Israel Institute of Technology; Israel
dc.journal.title
Journal of Applied Physics
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dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.5018193
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1063/1.5018193
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