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dc.contributor.author
Di Loreto, Ariel Oscar  
dc.contributor.author
Frattini, Agustin Lujan  
dc.contributor.author
Machado, Rodrigo  
dc.contributor.author
Stachiotti, Marcelo Gabriel  
dc.date.available
2019-11-12T20:12:55Z  
dc.date.issued
2018-12  
dc.identifier.citation
Di Loreto, Ariel Oscar; Frattini, Agustin Lujan; Machado, Rodrigo; Stachiotti, Marcelo Gabriel; Influence of A-site magnesium doping on structural and electrical properties of BaZr0.1Ti0.9O3 ceramics; Springer; Journal of Materials Science: Materials in Electronics; 29; 23; 12-2018; 19783-19790  
dc.identifier.issn
0957-4522  
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/88687  
dc.description.abstract
The effects of the replacement of Ba2+ by off-center Mg2+ ions on the structural and electrical properties of BaZr0.1Ti0.9O3 ceramics were investigated. We show that the use of magnesium as A-site dopant favors the formation of the perovskite phase at a lower temperature and improves the densification of the ceramics. Combining XRD, SEM and electrical measurements, we determined that the solubility limit of Mg is ~ 2%. We show that Mg doping leads to a decrease in both the Curie temperature and remnant polarization of the ceramics. A 1% Mg content, however, enhances the room-temperature d33 piezoelectric coefficient due to the composition proximity to an impurity induced morphotropic phase boundary.  
dc.format
application/pdf  
dc.language.iso
eng  
dc.publisher
Springer  
dc.rights
info:eu-repo/semantics/openAccess  
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/  
dc.subject
Piezoelectrics  
dc.subject
BZT ceramics  
dc.subject.classification
Física de los Materiales Condensados  
dc.subject.classification
Ciencias Físicas  
dc.subject.classification
CIENCIAS NATURALES Y EXACTAS  
dc.title
Influence of A-site magnesium doping on structural and electrical properties of BaZr0.1Ti0.9O3 ceramics  
dc.type
info:eu-repo/semantics/article  
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo  
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion  
dc.date.updated
2019-10-24T14:56:02Z  
dc.identifier.eissn
1573-482X  
dc.journal.volume
29  
dc.journal.number
23  
dc.journal.pagination
19783-19790  
dc.journal.pais
Alemania  
dc.description.fil
Fil: Di Loreto, Ariel Oscar. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Rosario. Instituto de Física de Rosario. Universidad Nacional de Rosario. Instituto de Física de Rosario; Argentina  
dc.description.fil
Fil: Frattini, Agustin Lujan. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Rosario. Instituto de Física de Rosario. Universidad Nacional de Rosario. Instituto de Física de Rosario; Argentina  
dc.description.fil
Fil: Machado, Rodrigo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Rosario. Instituto de Física de Rosario. Universidad Nacional de Rosario. Instituto de Física de Rosario; Argentina  
dc.description.fil
Fil: Stachiotti, Marcelo Gabriel. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Rosario. Instituto de Física de Rosario. Universidad Nacional de Rosario. Instituto de Física de Rosario; Argentina  
dc.journal.title
Journal of Materials Science: Materials in Electronics  
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://link.springer.com/article/10.1007%2Fs10854-018-0104-z  
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1007/s10854-018-0104-z