Artículo
Mo gate MOS capacitors exhibit a negative shift of their C-V characteristic by up to 240 mV, at 125°C, in response to 1000 ppm hydrogen, in controlled nitrogen atmospheres. The experimental methods for obtaining capacitance and conductance, as a function of polarisation voltage, as well as the relevant equivalent circuits are reviewed. The single-state interface state density, at the semiconductor-dielectric interface, decreases from 2.66 1011 cm-2e-v-1, in pure nitrogen, to 2.5 1011cm-2e-v-1 in 1000 ppm hydrogen in nitrogen mixtures, at this temperature. Capacitores MOS con compuertas de Mo exhiben un corrimiento negativo de la característica C-V, de 240mV a 125°C, en respuesta a 1000 ppm de hidrógeno, en atmósfera controlada de nitrógeno. Se resumen los métodos experimentales para obtener capacitancia y conductancia, como función de la tensión de polarización, así como los circuitos equivalentes relevantes. La densidad de estados de interface de nivel único, en la interface dieléctrico-semiconductor, decrece desde 2.66 1011 cm-2e-v-1, en nitrógeno puro, hasta 2.5 1011cm-2 e-v-1 en 1000 ppm de mezcla de hidrógeno en nitrógeno a esta temperatura.
Chemical sensitivity of Mo gate MOS capacitors
Fecha de publicación:
12/2006
Editorial:
Sociedad Mexicana de Física
Revista:
Revista Mexicana de Física
ISSN:
0035-001X
Idioma:
Inglés
Tipo de recurso:
Artículo publicado
Clasificación temática:
Resumen
Palabras clave:
Mos Device
,
Mo Gate
,
Hydrogen Sensitivity
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Citación
Lombardi, R. M.; Aragon, Ricardo; Chemical sensitivity of Mo gate MOS capacitors; Sociedad Mexicana de Física; Revista Mexicana de Física; 52; Supp. 2; 12-2006; 11-13
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