Calidad cristalina del ZnSe obtenido por transporte químico con I2 como portador gaseoso

Abstract

Se estudió la presencia de dislocaciones en ZnSe monocristalino obtenido por transporte químico utilizando I2 como portador gaseoso. Para ello se utilizó microscopía electrónica de transmisión que evidenció, en el rango micrométrico y nanométrico, ausencia de defectos, por lo que fue necesario estudiar áreas mayores del material mediante revelado químico. La densidad de dislocaciones y la desorientación entre subgranos contiguos en obleas de ZnSe fueron determinadas mediante el uso de distintos reactivos que permiten la obtención de figuras de corrosión. Se presentan y comparan los resultados micrográficos obtenidos con las diferentes soluciones, determinándose las ventajas relativas. Se midió la transmitancia del ZnSe con un espectrómetro infrarrojo de transmisión resultando comparable a la obtenida para sustratos comerciales utilizados como ventanas. La caracterización realizada permite afirmar que la calidad cristalina del material obtenido es la adecuada para su aplicación en ventanas ópticas.

The presence of dislocations was studied in single crystalline ZnSe grown by chemical transport using I2 as gaseous carrier. The presence of defects was not determined in the micrometric and nanometric range employing transmission electronic microscopy in order to study larger material areas was used chemical etching. Dislocation density and adjacent subgrain misorientation were obtained by chemical etching using different reagents. Micrographic results were shown and compared to determine reagents relative advantages. The transmittance of ZnSe was measured using a Fourier transform infrared spectrometer. Commercial substrates used as windows have comparable results to our grown material wafers. This characterization proves that the semiconductor crystalline quality is appropriate for optical windows.