Evidencia óptica de semiconducción directa en γ´-Bi2MoO6

Abstract

La fase γ´-Bi2MoO6 ha sido alternativamente descripta como un conductor iónico puro o mixto. Medidas de reflectancia difusa en el rango de 200 a 850 nm, a temperatura ambiente, sobre muestras sinterizadas de este compuesto confirman la segunda alternativa. La función de remisión de Kubelka-Munk es consistente con una banda prohibida de 2.9 eV y el coeficiente de absorción se caracteriza por una dependencia cuadrática con la energía referida a este origen, consistente con carácter directo.

γ´-Bi2MoO6 has been alternatively described as a pure ionic or mixed conductor. Room temperature diffuse reflectance measurements, between 200 and 850 nm, on sintered samples, confirm the second alternative. The Kubelka-Munk remission function is consistent with 2.9 eV energy gap and the absorption coeficient depends quadratically on energy referred to this origin, consistently with direct character.