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dc.contributor.author
Valdes, Matias Hernan
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dc.contributor.author
Vazquez, Marcela Vivian
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dc.date.available
2019-07-25T22:29:16Z
dc.date.issued
2012-12
dc.identifier.citation
Valdes, Matias Hernan; Vazquez, Marcela Vivian; Composition, morphology, and optical properties of CuInSe2 thin films electrodeposited using constant and pulsed potentials; Springer; Journal of Solid State Electrochemistry (print); 16; 12; 12-2012; 3825-3835
dc.identifier.issn
1432-8488
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/80349
dc.description.abstract
CuInSe2 thin films were electrodeposited on conductive glass using potentiostatic (PoED) and pulsed electrodeposition (PuED). One pulse consisted of a step between two potential values: E10-0.9 and E20-0.1 VSCE. Each potential was applied during 10 s. Twenty to 180 pulses were applied. In the case of PoED, -0.9 VSCE were applied during 400 to 3,600 s. The differences in crystallographic structure, morphology, and chemical composition between as-deposited PoED and PuED films were investigated by X-ray diffraction, Raman spectroscopy, scanning electron microscopy, and energy dispersive scanning spectroscopy. The presence of secondary phases seemed to be reduced by using PuED. X-ray diffraction showed no significant differences between films prepared by PuED and PoED. Instead, micro-Raman spectroscopy revealed that the chemical composition and homogeneity were improved by pulsing the potential. The thickness of the films increased, and the crystallinity improved as more pulses were applied. For both types of electrodeposition, longer times favored the formation of nearly stoichiometric CuInSe2. For the electrical characterization, the films were annealed in argon and then etched in a KCN solution. KCN etching showed no effect in the film composition. Photoelectrochemical tests and I-V curves confirm p-type conduction. The differences observed in composition, morphology, and optoelectronic properties were attributed to the current profile imposed on the electrode.
dc.format
application/pdf
dc.language.iso
eng
dc.publisher
Springer
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dc.rights
info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.subject
Chalcogenides
dc.subject
Chemical Synthesis
dc.subject
Raman Spectroscopy
dc.subject
Semiconductors
dc.subject.classification
Físico-Química, Ciencia de los Polímeros, Electroquímica
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dc.subject.classification
Ciencias Químicas
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dc.subject.classification
CIENCIAS NATURALES Y EXACTAS
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dc.subject.classification
Ingeniería de los Materiales
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dc.subject.classification
Ingeniería de los Materiales
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dc.subject.classification
INGENIERÍAS Y TECNOLOGÍAS
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dc.title
Composition, morphology, and optical properties of CuInSe2 thin films electrodeposited using constant and pulsed potentials
dc.type
info:eu-repo/semantics/article
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.date.updated
2019-06-11T15:39:43Z
dc.identifier.eissn
1433-0768
dc.journal.volume
16
dc.journal.number
12
dc.journal.pagination
3825-3835
dc.journal.pais
Alemania
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dc.journal.ciudad
Berlin
dc.description.fil
Fil: Valdes, Matias Hernan. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Mar del Plata. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales. Universidad Nacional de Mar del Plata. Facultad de Ingeniería. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales; Argentina
dc.description.fil
Fil: Vazquez, Marcela Vivian. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Mar del Plata. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales. Universidad Nacional de Mar del Plata. Facultad de Ingeniería. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales; Argentina
dc.journal.title
Journal of Solid State Electrochemistry (print)
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dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://link.springer.com/article/10.1007/s10008-012-1821-5
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1007/s10008-012-1821-5
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