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dc.contributor.author
Tirado, Monica Cecilia
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dc.contributor.author
Comedi, David Mario
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dc.contributor.author
LaPierre, Ray R.
dc.date.available
2019-03-27T21:05:57Z
dc.date.issued
2010-04
dc.identifier.citation
Tirado, Monica Cecilia; Comedi, David Mario; LaPierre, Ray R.; Impedance spectroscopy characterization of GaAs nanowire bundles grown by metal-catalyzed molecular beam epitaxy; Elsevier Science Sa; Journal of Alloys and Compounds; 495; 2; 4-2010; 443-445
dc.identifier.issn
0925-8388
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/72699
dc.description.abstract
Vertically aligned GaAs nanowire (NW) bundles grown by gas-source molecular beam epitaxy on an n-doped GaAs substrate by a metal catalysis method and embedded in an insulating matrix (SU8-2) were studied by impedance spectroscopy. The DC current-voltage characteristics measured between Au dot contacts to the NW tips and the substrate exhibited Schottky behavior. A detailed analysis of the impedance data measured in reverse bias conditions is presented, which enables the elimination of the stray capacitance due to the insulating matrix, and the separation of the different contributions to the total admittance from the metal/NW Schottky interface and from the NW region beyond the barrier region. The observed NW conductances and capacitances are shown to be consistent with rough estimates based on the GaAs conductivity and permittivity data and the NW dimensions, and the NW conductance increases as a power law of the frequency. Possible charge transport mechanisms to explain this result are discussed.
dc.format
application/pdf
dc.language.iso
eng
dc.publisher
Elsevier Science Sa
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dc.rights
info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.subject
Gaas
dc.subject
Impedance Spectroscopy
dc.subject
Nanowire
dc.subject
Semiconductor
dc.subject.classification
Nano-materiales
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dc.subject.classification
Nanotecnología
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dc.subject.classification
INGENIERÍAS Y TECNOLOGÍAS
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dc.title
Impedance spectroscopy characterization of GaAs nanowire bundles grown by metal-catalyzed molecular beam epitaxy
dc.type
info:eu-repo/semantics/article
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.date.updated
2019-03-21T16:10:54Z
dc.journal.volume
495
dc.journal.number
2
dc.journal.pagination
443-445
dc.journal.pais
Países Bajos
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dc.journal.ciudad
Amsterdam
dc.description.fil
Fil: Tirado, Monica Cecilia. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Tucumán; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Departamento de Física. Laboratorio de Propiedades Dieléctricas; Argentina
dc.description.fil
Fil: Comedi, David Mario. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Tucumán; Argentina. Universidad Nacional de Tucumán. Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología. Departamento de Física. Laboratorio de Física del Sólido; Argentina
dc.description.fil
Fil: LaPierre, Ray R.. Mc Master University; Canadá
dc.journal.title
Journal of Alloys and Compounds
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dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/https://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2009.10.084
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S092583880902060X
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