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Artículo

Influence of the spin-orbit interaction in the impurity-band states of n-doped semiconductors

Intronati, Guido AlfredoIcon ; Tamborenea, Pablo IgnacioIcon ; Weinmann, D.; Jalabert, Rodolfo
Fecha de publicación: 08/2012
Editorial: Elsevier Science
Revista: Physica B: Condensed Matter
ISSN: 0921-4526
Idioma: Inglés
Tipo de recurso: Artículo publicado
Clasificación temática:
Astronomía

Resumen

We study numerically the effects of an extrinsic spin-orbit interaction on the model of electrons in n-doped semiconductors of Matsubara and Toyozawa (MT). We focus on the analysis of the density of states (DOS) and the inverse participation ratio (IPR) of the spin-orbit perturbed states in the MT set of energy eigenstates in order to characterize the eigenstates with respect to their extended or localized nature. The finite sizes that we are able to consider necessitate an enhancement of the spin-orbit coupling strength in order to obtain a meaningful perturbation. The IPR and DOS are then studied as a function of the enhancement parameter.
Palabras clave: Impurity Band , Metal-Insulator Transition , Semiconductors , Spin Relaxation
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info:eu-repo/semantics/openAccess Excepto donde se diga explícitamente, este item se publica bajo la siguiente descripción: Atribución-NoComercial-SinDerivadas 2.5 Argentina (CC BY-NC-ND 2.5 AR)
Identificadores
URI: http://hdl.handle.net/11336/56106
URL: https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921452611012725
DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2011.12.079
Colecciones
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Articulos de INST.DE FISICA DE BUENOS AIRES
Citación
Intronati, Guido Alfredo; Tamborenea, Pablo Ignacio; Weinmann, D.; Jalabert, Rodolfo; Influence of the spin-orbit interaction in the impurity-band states of n-doped semiconductors; Elsevier Science; Physica B: Condensed Matter; 407; 16; 8-2012; 3252-3255
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