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Artículo

Spin relaxation near the metal-insulator transition: Dominance of the Dresselhaus spin-orbit coupling

Intronati, Guido AlfredoIcon ; Tamborenea, Pablo IgnacioIcon ; Weinmann, Dietmar; Jalabert, Rodolfo
Fecha de publicación: 01/2012
Editorial: American Physical Society
Revista: Physical Review Letters
ISSN: 0031-9007
Idioma: Inglés
Tipo de recurso: Artículo publicado
Clasificación temática:
Astronomía

Resumen

We identify the Dresselhaus spin-orbit coupling as the source of the dominant spin-relaxation mechanism in the impurity band of a wide class of n-doped zinc blende semiconductors. The Dresselhaus hopping terms are derived and incorporated into a tight-binding model of impurity sites, and they are shown to unexpectedly dominate the spin relaxation, leading to spin-relaxation times in good agreement with experimental values. This conclusion is drawn from two complementary approaches: an analytical diffusive-evolution calculation and a numerical finite-size scaling study of the spin-relaxation time. © 2012 American Physical Society.
Palabras clave: Semiconductors , Spin Relaxation , Impurity Band , Mott Transition
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info:eu-repo/semantics/openAccess Excepto donde se diga explícitamente, este item se publica bajo la siguiente descripción: Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 2.5 Unported (CC BY-NC-SA 2.5)
Identificadores
URI: http://hdl.handle.net/11336/56074
DOI: http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.108.016601
Colecciones
Articulos(IFIBA)
Articulos de INST.DE FISICA DE BUENOS AIRES
Citación
Intronati, Guido Alfredo; Tamborenea, Pablo Ignacio; Weinmann, Dietmar; Jalabert, Rodolfo; Spin relaxation near the metal-insulator transition: Dominance of the Dresselhaus spin-orbit coupling; American Physical Society; Physical Review Letters; 108; 1; 1-2012; 16601-16605
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