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Artículo

Improvement on dielectric and microstructural properties of lead free Bi0.5Na0.5TiO3 ceramics through processing conditions

Prado Espinosa, Fabiola AndreaIcon ; Camargo, Javier EduardoIcon ; Ramajo, Leandro AlfredoIcon ; Castro, Miriam SusanaIcon
Fecha de publicación: 11/2017
Editorial: Springer
Revista: Journal of Materials Science: Materials in Electronics
ISSN: 0957-4522
e-ISSN: 1573-482X
Idioma: Inglés
Tipo de recurso: Artículo publicado
Clasificación temática:
Recubrimientos y Películas; Ingeniería de los Materiales

Resumen

In this work, we report the influence of processing conditions on Bi0.5Na0.5TiO3-based lead–free piezoceramics properties, obtained by conventional solid-state reaction method, employing a mechanochemical activation step and comparing two types of calcination steps. All samples were characterized by X-ray diffraction, Scanning Electron Microscopy and impedance Spectroscopy. It was observed that depending on the calcination route a secondary phase is formed. Moreover, the content of the secondary phase is strongly related to the intermediate grinding in the calcined process, and has a significant effect on the final ferroelectric properties.
Palabras clave: Bi0.5na0.5tio3 , Ferroelectric Property , Mechano-Chemical Activation , Processing Condition
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info:eu-repo/semantics/openAccess Excepto donde se diga explícitamente, este item se publica bajo la siguiente descripción: Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 2.5 Unported (CC BY-NC-SA 2.5)
Identificadores
URI: http://hdl.handle.net/11336/45091
URL: http://link.springer.com/10.1007/s10854-017-7599-6
DOI: http://dx.doi.org/10.1007/s10854-017-7599-6
Colecciones
Articulos(INTEMA)
Articulos de INST.DE INV.EN CIENCIA Y TECNOL.MATERIALES (I)
Citación
Prado Espinosa, Fabiola Andrea; Camargo, Javier Eduardo; Ramajo, Leandro Alfredo; Castro, Miriam Susana; Improvement on dielectric and microstructural properties of lead free Bi0.5Na0.5TiO3 ceramics through processing conditions; Springer; Journal of Materials Science: Materials in Electronics; 28; 22; 11-2017; 16836-16841
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