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Artículo

Cinética de foto-oxidación del silicio poroso nanoestructurado

Título: Kinetics of photo-oxidation of nanostructured porous silicon
Jimenez, A.; Ruano Sandoval, Gustavo DanielIcon ; Acquaroli, Leandro NicolásIcon ; García Salgado, G.; Ferron, JulioIcon ; Arce, Roberto DelioIcon ; Koropecki, Roberto RomanIcon
Fecha de publicación: 09/2014
Editorial: Asociación Física Argentina
Revista: Anales AFA
ISSN: 0327-358X
Idioma: Español
Tipo de recurso: Artículo publicado
Clasificación temática:
Física de los Materiales Condensados

Resumen

 
Durante la recombinación bimolecular de portadores fotogenerados en silicio poroso nanoestructurado, la energía puede relajar en forma no radiativa a través de fluctuaciones de alta energía y corta vida (SLEFs) que provocan movimiento de átomos de hidrógeno presentes en la superficie de los poros, pudiendo incluso exodifundir. Durante estas fluctuaciones se producen además enlaces colgantes que generan estados de defecto, atenuando la luminiscencia del material. La creación de enlaces olgantes, el decaimiento de la fotoluminiscencia y catodoluminiscencia, y la exodifusión de hidrógeno responden a la misma cinética determinada por la existencia de SLEFs. Se muestra que la cinética de foto-oxidación del silicio poroso preparado bajo condiciones de iluminación intensa puede explicarse con un modelo que contempla como factor limitante al cubrimiento superficial con hidrógeno, controlado por SLEFs
 
During bimolecular recombination of photogenerated chariers, non radiative energy relaxation can occur in nanostructured porous silicon, through short lived-high energy fluctuations (SLEFs). During these fluctuations, hydrogen atoms present in the pore walls are moved, and hydrogen exodiffusion can also occur. Dangling bonds are also created producing defect states in the gap, which attenuates the porous silicon luminescence. The dangling bond creation, photoluminescence and cathodoluminescence dacay and hdrogen exodifussion show the same kinetics, which is determined by SLEFs existence. In this work we show that the kinetics of photo-oxidationof porous silicon prepared under high illumination conditions can be explained with a model which consider, as the limiting factor, the surface coverage with hydrogen, which is ruled by SLEFs
 
Palabras clave: Foto Oxidación , Silicio Poroso
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Identificadores
URI: http://hdl.handle.net/11336/4434
URL: http://anales.fisica.org.ar/journal/index.php/analesafa/article/view/1965
Colecciones
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Articulos de CTRO.CIENTIFICO TECNOL.CONICET - PATAGONIA NORTE
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Articulos de INST.DE FISICA DEL LITORAL
Articulos(SEDE CENTRAL)
Articulos de SEDE CENTRAL
Citación
Jimenez, A.; Ruano Sandoval, Gustavo Daniel; Acquaroli, Leandro Nicolás; García Salgado, G.; Ferron, Julio; et al.; Cinética de foto-oxidación del silicio poroso nanoestructurado; Asociación Física Argentina; Anales AFA; 25; 3; 9-2014; 116-121
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