Fotólisis IR de fenilsilano

Abstract

Las celdas solares y la microelectrónica utilizan películas de silicio. El fenilsilano ha resultado un precursor eficiente para la producción de películas delgadas de Si. En este trabajo se estudió la disociación multifotónica infraroja de fenilsilano en un jet molecular en el intervalo de fluencias entre 0,16 y 160 J/cm2 determinando los productos de la disociación en tiempo real por espectrometría de masas de tiempo de vuelo. Se encontró que en el intervalo de fluencias utilizado ocurre solamente la reacción de tres centros de eliminación de H2. Se determinó la cinética del radical fenilsilileno evidenciando que se descompone produciendo SiH, C2, y butadieno.

Silicon films are used in solar cells and microelectronics. Phenylsilane has proved to be a an efficient precursor for the production of silicon thin films. In this paper the infrared multiple-photon dissociation of phenylsilane in the 0,16 - 160 J/cm2 fluence range was studied in a molecular jet. Time of flight mass spectrometry was used for real time detection of the dissociation products. The three center elimination of H2 is the only reaction that takes place in the fluence range of this work. The kinetics of the phenylsililene radical evidences that it is decomposed producing SiH, C2 and butadiene.