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dc.contributor.author
Tang, Kechao
dc.contributor.author
Palumbo, Félix Roberto Mario
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dc.contributor.author
Zhang, Liangliang
dc.contributor.author
Droopad, Ravi
dc.contributor.author
McIntyre, Paul C.
dc.date.available
2018-04-05T14:51:36Z
dc.date.issued
2017-03
dc.identifier.citation
Tang, Kechao; Palumbo, Félix Roberto Mario; Zhang, Liangliang; Droopad, Ravi; McIntyre, Paul C.; Interface Defect Hydrogen Depassivation and Capacitance-Voltage Hysteresis of Al2O3/InGaAs Gate Stacks; American Chemical Society; Acs Applied Materials & Interfaces; 9; 8; 3-2017; 7819-7825
dc.identifier.issn
1944-8244
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/40847
dc.description.abstract
We investigate the effects of pre- and postatomic layer deposition (ALD) defect passivation with hydrogen on the trap density and reliability of Al2O3/InGaAs gate stacks. Reliability is characterized by capacitance-voltage hysteresis measurements on samples prepared using different fabrication procedures and having different initial trap densities. Despite its beneficial capability to passivate both interface and border traps, a final forming gas (H2/N2) anneal (FGA) step is correlated with a significant hysteresis. This appears to be caused by hydrogen depassivation of defects in the gate stack under bias stress, supported by the observed bias stress-induced increase of interface trap density, and strong hydrogen isotope effects on the measured hysteresis. On the other hand, intentional air exposure of the InGaAs surface prior to Al2O3 ALD increases the initial interface trap density (Dit) but considerably lowers the hysteresis.
dc.format
application/pdf
dc.language.iso
eng
dc.publisher
American Chemical Society
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dc.rights
info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.subject
Al2o3
dc.subject
Border Traps
dc.subject
Hydrogen Depassivation
dc.subject
Ingaas
dc.subject
Interface Traps
dc.subject
Moscap
dc.subject
Reliability
dc.subject.classification
Astronomía
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dc.subject.classification
Ciencias Físicas
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dc.subject.classification
CIENCIAS NATURALES Y EXACTAS
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dc.title
Interface Defect Hydrogen Depassivation and Capacitance-Voltage Hysteresis of Al2O3/InGaAs Gate Stacks
dc.type
info:eu-repo/semantics/article
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.date.updated
2018-04-04T14:14:10Z
dc.journal.volume
9
dc.journal.number
8
dc.journal.pagination
7819-7825
dc.journal.pais
Estados Unidos
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dc.journal.ciudad
Washington
dc.description.fil
Fil: Tang, Kechao. University of Stanford; Estados Unidos
dc.description.fil
Fil: Palumbo, Félix Roberto Mario. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; Argentina. Universidad Tecnológica Nacional; Argentina
dc.description.fil
Fil: Zhang, Liangliang. University of Stanford; Estados Unidos
dc.description.fil
Fil: Droopad, Ravi. University of Texas; Estados Unidos
dc.description.fil
Fil: McIntyre, Paul C.. University of Stanford; Estados Unidos
dc.journal.title
Acs Applied Materials & Interfaces
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dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1021/acsami.6b16232
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.6b16232
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