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dc.contributor.author
Sambuco Salomone, Lucas Ignacio
dc.contributor.author
Kasulin, A.
dc.contributor.author
Lipovetzky, José
dc.contributor.author
Carbonetto, Sebastián Horacio
dc.contributor.author
García Inza, Mariano Andrés
dc.contributor.author
Redin, Eduardo Gabriel
dc.contributor.author
Berbeglia, F.
dc.contributor.author
Campabadal, F.
dc.contributor.author
Faigon, Adrián Néstor
dc.date.available
2018-03-21T18:59:39Z
dc.date.issued
2014-11
dc.identifier.citation
Sambuco Salomone, Lucas Ignacio; Kasulin, A.; Lipovetzky, José; Carbonetto, Sebastián Horacio; García Inza, Mariano Andrés; et al.; Radiation and bias switch-induced charge dynamics in Al2O3-based metal-oxide-semiconductor structures; American Institute of Physics; Journal of Applied Physics; 116; 17; 11-2014; 1-5
dc.identifier.issn
0021-8979
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/39548
dc.description.abstract
Charge trapping dynamics induced by exposition to γ-ray (60Co) radiation and bias switching in MOS capacitors with atomic layer deposited Al2O3 as insulating layer was studied. Electrical characterization prior to irradiation showed voltage instabilities due to electron tunneling between the substrate and preexisting defects inside the dielectric layer. Real-time capacitance-voltage (C-V) measurements during irradiation showed two distinct regimes: For short times, the response is strongly bias dependent and linear with log(t), consistent with electron trapping/detrapping; for long times, the voltage shift is dominated by the radiation-induced hole capture being always negative and linear with dose. A simple model that takes into account these two phenomena can successfully reproduce the observed results.
dc.format
application/pdf
dc.language.iso
eng
dc.publisher
American Institute of Physics
dc.rights
info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.subject
Ozone
dc.subject
Tunneling
dc.subject
Capacitance
dc.subject
Electron Radiation Effects
dc.subject
Carrier Generation
dc.subject.classification
Astronomía
dc.subject.classification
Ciencias Físicas
dc.subject.classification
CIENCIAS NATURALES Y EXACTAS
dc.title
Radiation and bias switch-induced charge dynamics in Al2O3-based metal-oxide-semiconductor structures
dc.type
info:eu-repo/semantics/article
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.date.updated
2018-01-23T14:03:46Z
dc.journal.volume
116
dc.journal.number
17
dc.journal.pagination
1-5
dc.journal.pais
Estados Unidos
dc.journal.ciudad
American Institute of Physics
dc.description.fil
Fil: Sambuco Salomone, Lucas Ignacio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"; Argentina
dc.description.fil
Fil: Kasulin, A.. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"; Argentina
dc.description.fil
Fil: Lipovetzky, José. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"; Argentina
dc.description.fil
Fil: Carbonetto, Sebastián Horacio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"; Argentina
dc.description.fil
Fil: García Inza, Mariano Andrés. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"; Argentina
dc.description.fil
Fil: Redin, Eduardo Gabriel. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"; Argentina
dc.description.fil
Fil: Berbeglia, F.. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"; Argentina
dc.description.fil
Fil: Campabadal, F.. Consejo Superior de Investigaciones Científicas; España
dc.description.fil
Fil: Faigon, Adrián Néstor. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"; Argentina
dc.journal.title
Journal of Applied Physics
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1063/1.4900851
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.4900851
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