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dc.contributor.author
Golmar, Federico
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dc.contributor.author
Stoliar, Pablo Alberto
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dc.contributor.author
Monton, Carlos Martin
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dc.contributor.author
Valmianski, Ilya
dc.contributor.author
Schuller, Ivan K.
dc.contributor.author
Hueso, Luis E.
dc.contributor.author
Casanova, Fèlix
dc.date.available
2018-03-09T19:25:41Z
dc.date.issued
2015-03
dc.identifier.citation
Golmar, Federico; Stoliar, Pablo Alberto; Monton, Carlos Martin; Valmianski, Ilya; Schuller, Ivan K.; et al.; Cobalt phthalocyanine-based submicrometric field-effect transistors; Wiley VCH Verlag; Physica Status Solidi A-applications And Materials Science; 212; 3; 3-2015; 607-611
dc.identifier.issn
1862-6300
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/38436
dc.description.abstract
We present performance characteristics of nanoscaled cobalt phthalocyanine (CoPc)-based organic field-effect transistors (OFETs) as a function of channel length. We found a channel length range which maximizes the field effect mobility in a trade-off between the decrease in the number of organic grain boundaries and the increase of the electrode-organic contact region. Further reduction of channel length is limited by fringe currents, which lead to an increased off current and to a degradation of the sub-threshold slope. From this, we define an optimal channel length of 280 nm to 1 μm for applications in submicrometric CoPc-based OFETs. Our results are particularly relevant for the miniaturization of chemical sensing OFETs, where metal phthalocyanines have proven to be excellent candidates for the fabrication of the transistor channel.
dc.format
application/pdf
dc.language.iso
eng
dc.publisher
Wiley VCH Verlag
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dc.rights
info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.subject
Organic Electronics
dc.subject
Organic Field Effect Transistors
dc.subject
Phthalocyanines
dc.subject.classification
Astronomía
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dc.subject.classification
Ciencias Físicas
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dc.subject.classification
CIENCIAS NATURALES Y EXACTAS
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dc.title
Cobalt phthalocyanine-based submicrometric field-effect transistors
dc.type
info:eu-repo/semantics/article
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.date.updated
2018-03-08T19:02:45Z
dc.journal.volume
212
dc.journal.number
3
dc.journal.pagination
607-611
dc.journal.pais
Alemania
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dc.journal.ciudad
Weinheim
dc.description.fil
Fil: Golmar, Federico. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Universidad Nacional de San Martín; Argentina
dc.description.fil
Fil: Stoliar, Pablo Alberto. Universidad Nacional de San Martín; Argentina. Institut Des Materiaux Jean Rouxel;
dc.description.fil
Fil: Monton, Carlos Martin. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. University of California at San Diego; Estados Unidos
dc.description.fil
Fil: Valmianski, Ilya. University of California at San Diego; Estados Unidos
dc.description.fil
Fil: Schuller, Ivan K.. University of California at San Diego; Estados Unidos
dc.description.fil
Fil: Hueso, Luis E.. Ikerbasque; España
dc.description.fil
Fil: Casanova, Fèlix. Ikerbasque; España
dc.journal.title
Physica Status Solidi A-applications And Materials Science
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dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201431409
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssa.201431409/abstract
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