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dc.contributor.author
Zazpe, Raúl
dc.contributor.author
Ungureanu, Mariana
dc.contributor.author
Golmar, Federico
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dc.contributor.author
Stoliar, Pablo Alberto
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dc.contributor.author
Llopis, Roger
dc.contributor.author
Casanova, Félix
dc.contributor.author
Pickup, David F.
dc.contributor.author
Rogero, Celia
dc.contributor.author
Hueso Falcon, Idaira
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dc.date.available
2018-01-23T14:55:16Z
dc.date.issued
2014-01
dc.identifier.citation
Zazpe, Raúl; Ungureanu, Mariana; Golmar, Federico; Stoliar, Pablo Alberto; Llopis, Roger; et al.; Resistive switching dependence on atomic layer deposition parameters in HfO2-based memory devices; Royal Society of Chemistry; Journal of Materials Chemistry C; 2; 17; 1-2014; 3204-3211
dc.identifier.issn
2050-7526
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/34257
dc.description.abstract
Resistance random access memory (ReRAM) is considered a promising candidate for the next generation of non-volatile memory. In this work, we fabricate Co/HfO2/Ti devices incorporating atomic-layer-deposited HfO2 thin films as the active material grown under different atomic layer deposition (ALD) conditions. We focus on analyzing the effect of ALD conditions on the resistive switching behaviour of the devices. Electrical characterization reveals a particular non-crossing current–voltage curve and bipolar resistive switching behaviour. Device memory properties were confirmed by stability and retention measurements as well as voltage pulses, by which logical computational processes were conducted. X-ray photoelectron spectroscopy combined with electrical measurements demonstrates that the presence of Hf sub-oxides at the interface with the underlying Ti layer is required in order to achieve a stable switching device. The ability of Ti to scavenge oxygen from the HfO2 is shown to be affected by the ALD conditions.
dc.format
application/pdf
dc.language.iso
eng
dc.publisher
Royal Society of Chemistry
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dc.rights
info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.subject
Resistive Switching
dc.subject.classification
Astronomía
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dc.subject.classification
Ciencias Físicas
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dc.subject.classification
CIENCIAS NATURALES Y EXACTAS
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dc.title
Resistive switching dependence on atomic layer deposition parameters in HfO2-based memory devices
dc.type
info:eu-repo/semantics/article
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.date.updated
2018-01-18T21:40:58Z
dc.journal.volume
2
dc.journal.number
17
dc.journal.pagination
3204-3211
dc.journal.pais
Reino Unido
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dc.journal.ciudad
Londres
dc.description.fil
Fil: Zazpe, Raúl. CIC nanoGUNE Consolider; España
dc.description.fil
Fil: Ungureanu, Mariana. CIC nanoGUNE Consolider; España
dc.description.fil
Fil: Golmar, Federico. CIC nanoGUNE Consolider; España. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Instituto Nacional de Tecnología Industrial; Argentina
dc.description.fil
Fil: Stoliar, Pablo Alberto. CIC nanoGUNE Consolider; España. Centre National de la Recherche Scientifique; Francia. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. Universite Paris Sud; Francia
dc.description.fil
Fil: Llopis, Roger. CIC nanoGUNE Consolider; España
dc.description.fil
Fil: Casanova, Félix. CIC nanoGUNE Consolider; España. Fundación Vasca para la Ciencia; España
dc.description.fil
Fil: Pickup, David F.. Consejo Superior de Investigaciones Científicas; España. Universidad del País Vasco; España
dc.description.fil
Fil: Rogero, Celia. Universidad del País Vasco; España. Consejo Superior de Investigaciones Científicas; España
dc.description.fil
Fil: Hueso Falcon, Idaira. CIC nanoGUNE Consolider; España
dc.journal.title
Journal of Materials Chemistry C
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1039/C3TC31819B
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2014/tc/c3tc31819b#!divAbstract
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