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dc.contributor.author
Quinteros, Cynthia Paula
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dc.contributor.author
Zaspe, R.
dc.contributor.author
Marlasca, F. G.
dc.contributor.author
Golmar, Federico
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dc.contributor.author
Casanova, F.
dc.contributor.author
Stoliar, Pablo Alberto
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dc.contributor.author
Hueso, L.
dc.contributor.author
Levy, Pablo Eduardo
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dc.date.available
2018-01-09T19:44:46Z
dc.date.issued
2013-12
dc.identifier.citation
Levy, Pablo Eduardo; Hueso, L.; Stoliar, Pablo Alberto; Casanova, F.; Golmar, Federico; Marlasca, F. G.; et al.; HfO2 based memory devices with rectifying capabilities; American Institute of Physics; Journal of Applied Physics; 115; 2; 12-2013; 24501-24501
dc.identifier.issn
0021-8979
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/32717
dc.description.abstract
We report on the fabrication and characterization of metal/insulator/metal capacitor like devices, with both rectifying and hysteretic features. Devices are formed by two junctions, Ti/HfO2 and Co/HfO2. Each junction exhibits highly repetitive hysteretic I-V curves with a sharp transition from a high to a low resistance state (3–4 orders of magnitude jump). The opposite transition (from low to high) is induced by polarity reversal. The rectifying non-crossing characteristics of the I-V branches denote their potential use as a multifunctional device, acting as a built-in rectifier and memory cell in a single device. Based on the phenomenological model description by Zazpe et al. [Appl. Phys. Lett. 103, 073114 (2013)], we propose a circuital equivalent representation supported on switchable rectifying junctions. By exploring different electrode connections, we disentangle the role of the bulk transport in HfO2 devices.
dc.format
application/pdf
dc.language.iso
eng
dc.publisher
American Institute of Physics
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dc.rights
info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by/2.5/ar/
dc.subject
Memory Devices
dc.subject
Hfo2
dc.subject
Rectifying Devices
dc.subject
Memristors
dc.subject.classification
Astronomía
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dc.subject.classification
Ciencias Físicas
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dc.subject.classification
CIENCIAS NATURALES Y EXACTAS
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dc.title
HfO2 based memory devices with rectifying capabilities
dc.type
info:eu-repo/semantics/article
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.date.updated
2018-01-08T19:49:23Z
dc.journal.volume
115
dc.journal.number
2
dc.journal.pagination
24501-24501
dc.journal.pais
Estados Unidos
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dc.journal.ciudad
Nueva York
dc.description.fil
Fil: Quinteros, Cynthia Paula. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
dc.description.fil
Fil: Zaspe, R.. CIC nanoGUNE; España
dc.description.fil
Fil: Marlasca, F. G.. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; Argentina
dc.description.fil
Fil: Golmar, Federico. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Instituto Nacional de Tecnología Industrial; Argentina. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina
dc.description.fil
Fil: Casanova, F.. CIC nanoGUNE; España. Fundación Vasca para la Ciencia; España
dc.description.fil
Fil: Stoliar, Pablo Alberto. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina. Centre National de la Recherche Scientifique; Francia. Universite de Nantes; Francia
dc.description.fil
Fil: Hueso, L.. Fundación Vasca para la Ciencia; España. CIC nanoGUNE; España
dc.description.fil
Fil: Levy, Pablo Eduardo. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área Investigaciones y Aplicaciones no Nucleares; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
dc.journal.title
Journal of Applied Physics
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dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1063/1.4861167
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.4861167
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