Metodologías para la obtención de puntos cuánticos de cristales semiconductores de CdSe

Abstract

El estudio de puntos cuánticos (QDots) de semiconductores de CdSe es de gran interés debido a los efectos de confinamiento cuántico que permiten variar la energía del “band gap”, Egap (banda prohibida; es decir, la diferencia de energía entre las bandas de valencia y conducción) de los nanocristales mediante la regulación del tamaño de los mismos a través de diversos métodos sintéticos. Existe una amplia variedad de metodologías de síntesis, dentro de las cuales la más comúnmente utilizada es el método de inyección en caliente. En este trabajo se expone la síntesis de puntos cuánticos de CdSe llevada a cabo mediante una de las tantas variantes de este método.

There is an increasing interest in the study of CdSe quantum dots because of their size tunable properties derived from quantum confinement effect. Perhaps, it is the optical band gap the most remarkable property that can be controlled by the size of the particles. There is a large number of synthetic methods, among which the most used is the hot injection method, discussed with some detail in this communication.