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dc.contributor.author
Klimovsky, E,
dc.contributor.author
Rath, J.K.
dc.contributor.author
Schropp, R.E.I.
dc.contributor.author
Rubinelli, Francisco Alberto
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dc.date.available
2017-12-10T16:10:43Z
dc.date.issued
2002-06
dc.identifier.citation
Klimovsky, E,; Rath, J.K.; Schropp, R.E.I.; Rubinelli, Francisco Alberto; Errors introduced in the predicted a-Si:H based devices characteristic curves when dangling bonds are modeled by de-coupled states; Elsevier Science Sa; Thin Solid Films; 422; 6-2002; 211-219
dc.identifier.issn
0040-6090
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/30069
dc.description.abstract
In this paper we investigate in a-Si:H-based devices the accuracy of approximating dangling bonds by pairs of donor-like and acceptor-like states. We discuss the impact of using this approximation in device modeling by studying the dark current–voltage, the illuminated current–voltage and the spectral response curves. We find that the relative error introduced by this approximation in these characteristic curves can be tolerated when the correlation energy is assumed to be positive and when the capture crosssection of neutral states adopted is much smaller than that of charged states. A wide range of intrinsic layer-thickness values, density of states and temperatures has been investigated. This approximation fails when the correlation energy adopted is negative, and is not accurate enough when the correlation energy is assumed to be positive but the capture cross-section of neutral states adopted is higher than that of charged states.
dc.format
application/pdf
dc.language.iso
eng
dc.publisher
Elsevier Science Sa
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dc.rights
info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.subject
Amorphous Materials
dc.subject
Solar Cells
dc.subject
Donor And Acceptor States
dc.subject
Amphoteric States
dc.subject.classification
Ingeniería de Sistemas y Comunicaciones
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dc.subject.classification
Ingeniería Eléctrica, Ingeniería Electrónica e Ingeniería de la Información
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dc.subject.classification
INGENIERÍAS Y TECNOLOGÍAS
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dc.title
Errors introduced in the predicted a-Si:H based devices characteristic curves when dangling bonds are modeled by de-coupled states
dc.type
info:eu-repo/semantics/article
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.date.updated
2017-11-24T13:44:18Z
dc.journal.volume
422
dc.journal.pagination
211-219
dc.journal.pais
Países Bajos
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dc.journal.ciudad
Amsterdam
dc.description.fil
Fil: Klimovsky, E,. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina
dc.description.fil
Fil: Rath, J.K.. Utrecht University; Países Bajos
dc.description.fil
Fil: Schropp, R.E.I.. Utrecht University; Países Bajos
dc.description.fil
Fil: Rubinelli, Francisco Alberto. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina
dc.journal.title
Thin Solid Films
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dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1016/S0040-6090(02)00972-0
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