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Artículo

Electrically-driven control of nanoscale chemical changes in amorphous complex oxide memristive devices

Roman Acevedo, Wilson StibensIcon ; Aguirre, Myriam H.; Rubi, DiegoIcon
Fecha de publicación: 01/2025
Editorial: IOP Publishing
Revista: Nanotechnology
ISSN: 0957-4484
Idioma: Inglés
Tipo de recurso: Artículo publicado
Clasificación temática:
Física de los Materiales Condensados

Resumen

In this paper we investigate the electrical response response of amorphous complex oxide memristors under different electrical stimulation. With the help of transmission electron microscopy and energy dispersive x-ray spectroscopy, we observed that those devices stimulated with voltage display strong cationic segregation at the nanoscale together with the partial crystallization of the oxide layer. On the other hand, devices stimulated with current maintain their amorphous character with no significative chemical changes. Our analysis also shows that current stimulation leads to a more stable memristive response with smaller cycle-to-cycle variations. These findings could contribute to the design of more reliable oxide-based memristors and underscore the crucial effect that has type of electrical stimulation applied to the devices has on their integrity and reliability.
Palabras clave: memristors
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info:eu-repo/semantics/restrictedAccess Excepto donde se diga explícitamente, este item se publica bajo la siguiente descripción: Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 2.5 Unported (CC BY-NC-SA 2.5)
Identificadores
URI: http://hdl.handle.net/11336/278345
URL: https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6528/ada297
DOI: http://dx.doi.org/10.1088/1361-6528/ada297
Colecciones
Articulos (UE-INN - NODO CONSTITUYENTES)
Articulos de UNIDAD EJECUTORA INSTITUTO DE NANOCIENCIA Y NANOTECNOLOGIA - NODO CONSTITUYENTES
Citación
Roman Acevedo, Wilson Stibens; Aguirre, Myriam H.; Rubi, Diego; Electrically-driven control of nanoscale chemical changes in amorphous complex oxide memristive devices; IOP Publishing; Nanotechnology; 36; 10; 1-2025; 1-9
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