Determinación de la densidad de defectos en el gap de semiconductores en película delgada por técnicas de modulación de fotoconductividad

Abstract

Se presenta un estudio de la DOS de semiconductores en película delgada a partir del Método de la Fotocorriente Modulada (MPC). Se utilizó como fuente de luz un láser de HeNe de 10mW modulando 12.5% en intensidad mediante un modulador electro-óptico. Se realizaron mediciones sobre muestras de a-Si:H y µc-Si:H, para altas (G=1021cm-3s-1) y bajas (G=1019cm-3s-1) intensidades de luz. Se obtienen, mediante un "Lock-in", valores de la fotocorriente modulada y el retardo de fase en función de la frecuencia. Se muestra que los tiempos de recombinación de portadores se pueden inferir de medidas de MPC en el límite de bajas frecuencias y altas intensidades. El espectro de la DOS, en la parte superior del "gap", se obtiene a partir de estas mediciones y de mediciones de fotoconductividad. Se comparan estos resultados con los obtenidos a través de otros métodos observándose una buena concordancia entre ellos. Los resultados alcanzados son comparables con los obtenidos por métodos alternativos. Se discuten ventajas y limitaciones del método propuesto para la determinación de la DOS.