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dc.contributor.author
Losovyj, Ya. B.  
dc.contributor.author
Makinistian, Leonardo  
dc.contributor.author
Albanesi, Eduardo Aldo  
dc.contributor.author
Petukhov, A.G.  
dc.contributor.author
Liu, Jing  
dc.contributor.author
Galiy, P.  
dc.contributor.author
Dveriy, O.R.  
dc.contributor.author
Dowben, P.A.  
dc.date.available
2017-09-28T21:18:35Z  
dc.date.issued
2008-12  
dc.identifier.citation
Losovyj, Ya. B.; Makinistian, Leonardo; Albanesi, Eduardo Aldo; Petukhov, A.G.; Liu, Jing; et al.; The Anisotropic Band Structure of Layered In4Se3(001); American Institute of Physics; Journal of Applied Physics; 104; 8; 12-2008; 1-7; 83713  
dc.identifier.issn
0021-8979  
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/25399  
dc.description.abstract
There is discernable and significant band dispersion along both high symmetry directions for cleaved ordered surfaces of the layered In4Se3(001). The extent of dispersion of approximately 1 eV is observed along the surface chain rows, and about 0.5 eV perpendicular to the surface “furrows,” consistent with theoretical expectations. A possible surface state exists at the surface Brillouin zone edge, in the direction perpendicular to the chains, in a gap of the projected bulk band structure. Excluding the possible surface state, the experimental hole mass is 5.5 times greater along the chains than perpendicular to the chains, but the dispersion is easier to discern.  
dc.format
application/pdf  
dc.language.iso
eng  
dc.publisher
American Institute of Physics  
dc.rights
info:eu-repo/semantics/openAccess  
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/  
dc.subject.classification
Otras Ciencias Físicas  
dc.subject.classification
Ciencias Físicas  
dc.subject.classification
CIENCIAS NATURALES Y EXACTAS  
dc.title
The Anisotropic Band Structure of Layered In4Se3(001)  
dc.type
info:eu-repo/semantics/article  
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo  
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion  
dc.date.updated
2017-09-25T18:21:48Z  
dc.journal.volume
104  
dc.journal.number
8  
dc.journal.pagination
1-7; 83713  
dc.journal.pais
Estados Unidos  
dc.description.fil
Fil: Losovyj, Ya. B.. University Of Nebraska; Estados Unidos  
dc.description.fil
Fil: Makinistian, Leonardo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina  
dc.description.fil
Fil: Albanesi, Eduardo Aldo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina  
dc.description.fil
Fil: Petukhov, A.G.. South Dakota School of Mines; Estados Unidos  
dc.description.fil
Fil: Liu, Jing. University Of Nebraska; Estados Unidos  
dc.description.fil
Fil: Galiy, P.. Ivan Franko National University of Lviv; Ucrania  
dc.description.fil
Fil: Dveriy, O.R.. Ivan Franko National University of Lviv; Ucrania  
dc.description.fil
Fil: Dowben, P.A.. University Of Nebraska; Estados Unidos  
dc.journal.title
Journal of Applied Physics  
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1063/1.3000453  
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.3000453  

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