Análisis teórico de la incidencia del vector de magnetización en el plano de la barrera sobre la TMR a temperatura cero

Abstract

En el presente trabajo se realiza un análisis teórico del transporte de espı́n en un heteroestructura tipo pseudoválvula de espı́n (PSV) conformada por dos ferromagnéticos (FM) separados por un semiconductor (SC). Para el SC se considera la banda de conducción enel punto Γ del espacio recı́proco y el acoplamiento espı́n órbita (SOC); para los electrodos FM se tiene encuenta la energı́a de intercambio interna (∆ j ) y una magnetización espontanea. Se obtuvo una expresión analı́tica para la probabilidad de transmisión en función del vector director magnetización (n j ). Además, se calculó la magnetorresitencia por efecto tunel (TMR) a T = 0 K dependiente del espesor del SC mediante las fórmula de Landauer-Büttiker para un canal y se observa que esta obtiene su valor máximo cuando dirección nl (fijo) es paralelo al eje [0 1 0]. Además al aplicar el modelo fisicomatemático propuesto a la PSV Fe/SC/Fe, con SC como: GaAs, GaSb y InAs, se observó que el SOC Dresselhaus no contribuye a la TMR.