Caracterización de una muestra de ϵGa2O3 dopada a partir de su foto-respuesta

Abstract

A partir de considerar a la conducción eléctrica en un film semiconductor comoun proceso de transmisión de partículas a través de un medio activo, se puedenobtener expresiones simples para los coeficientes de transporte en un modelo bipolar. Debido a su simplicidad, con esta formulación se puede abordar la descripcióndel transporte complejo de carga, en el que participan múltiples procesos de absorción y generación de portadores. Un ejemplo de esto es la respuesta eléctricade un film fotoconductor sometido a la radiación de frecuencia adecuada. Estarespuesta puede calcularse analíticamente a partir de un modelo de bandas y defectos. A partir del ajuste entre las curvas medidas y teóricas es posible validarel modelo propuesto y caracterizar la muestra. Como un ejemplo, evaluamos unapelícula delgada de ϵGa2O3 dopada con Mg, obteniendo estimaciones para movilidades de electrones y huecos, secciones transversales de recombinación y capturade portadores por defectos, concentraciones de defectos y densidad de estados delas bandas.