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dc.contributor.author
Wassinger, Nicolás  
dc.contributor.author
Maestri, Sebastian Oscar  
dc.contributor.author
Garcia Retegui, Rogelio Adrian  
dc.contributor.author
Funes, Marcos Alan  
dc.contributor.author
Antoszczuk, Pablo Daniel  
dc.contributor.author
Pittet, S.  
dc.date.available
2024-03-14T11:11:36Z  
dc.date.issued
2023-10  
dc.identifier.citation
Wassinger, Nicolás; Maestri, Sebastian Oscar; Garcia Retegui, Rogelio Adrian; Funes, Marcos Alan; Antoszczuk, Pablo Daniel; et al.; MOSFET Selection for a 18ka modular power converter for HL-LHC inner triplet; Elsevier; Power Electronic Devices and Components; 6; 10-2023; 1-12  
dc.identifier.issn
2772-3704  
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/230455  
dc.description.abstract
The upgrade of the Large Hadron Collider (LHC) at CERN towards the High Luminosity-LHC (HL-LHC) presents different challenges, among them, the upgrade of the power converters associated to the inner triplet magnets to reach the required rated current of 18kA. In order to reach this current and to accomplish the stringent requirements associated to this kind of application, even under a fault scenario, redundancy and modularity are foreseen in the converter design. Consequently, the development of a 18kA/±10V power converter built from 10 parallel-connected sub-converters, each consisting of M modules, is carried out. Additionally, due to the converter being installed in an underground gallery, most of the heat must be extracted by using a water cooling system. Therefore, the reduction of power losses and an appropriate thermal design become key factors. These requirements, together with the large number of devices associated with the parallelization-based modular system, determine the choice of switching semiconductor devices as an important aspect in the design of the converter. This paper presents the process carried out for the choice of semiconductor devices based on analysis of power losses, thermal behavior and integration complexity. In this process, multiple variants in terms of semiconductor, number of modules, parallelization of devices, and switching frequency are considered. The proper operation of the selected device was verified on a 2kA sub-converter prototype based on the interconnection of 9 MOSFET based modules.  
dc.format
application/pdf  
dc.language.iso
eng  
dc.publisher
Elsevier  
dc.rights
info:eu-repo/semantics/openAccess  
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/ar/  
dc.subject
INNER TRIPLET MAGNETS  
dc.subject
MOSFET PARALLELIZATION  
dc.subject
THERMAL PERFORMANCE  
dc.subject
HL-LHC  
dc.subject.classification
Ingeniería Eléctrica y Electrónica  
dc.subject.classification
Ingeniería Eléctrica, Ingeniería Electrónica e Ingeniería de la Información  
dc.subject.classification
INGENIERÍAS Y TECNOLOGÍAS  
dc.title
MOSFET Selection for a 18ka modular power converter for HL-LHC inner triplet  
dc.type
info:eu-repo/semantics/article  
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo  
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion  
dc.date.updated
2024-03-13T14:21:14Z  
dc.journal.volume
6  
dc.journal.pagination
1-12  
dc.journal.pais
Dinamarca  
dc.description.fil
Fil: Wassinger, Nicolás. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Mar del Plata. Instituto de Investigaciones Científicas y Tecnológicas en Electrónica. Universidad Nacional de Mar del Plata. Facultad de Ingeniería. Instituto de Investigaciones Científicas y Tecnológicas en Electrónica; Argentina  
dc.description.fil
Fil: Maestri, Sebastian Oscar. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Mar del Plata. Instituto de Investigaciones Científicas y Tecnológicas en Electrónica. Universidad Nacional de Mar del Plata. Facultad de Ingeniería. Instituto de Investigaciones Científicas y Tecnológicas en Electrónica; Argentina  
dc.description.fil
Fil: Garcia Retegui, Rogelio Adrian. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Mar del Plata. Instituto de Investigaciones Científicas y Tecnológicas en Electrónica. Universidad Nacional de Mar del Plata. Facultad de Ingeniería. Instituto de Investigaciones Científicas y Tecnológicas en Electrónica; Argentina  
dc.description.fil
Fil: Funes, Marcos Alan. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Mar del Plata. Instituto de Investigaciones Científicas y Tecnológicas en Electrónica. Universidad Nacional de Mar del Plata. Facultad de Ingeniería. Instituto de Investigaciones Científicas y Tecnológicas en Electrónica; Argentina  
dc.description.fil
Fil: Antoszczuk, Pablo Daniel. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Mar del Plata. Instituto de Investigaciones Científicas y Tecnológicas en Electrónica. Universidad Nacional de Mar del Plata. Facultad de Ingeniería. Instituto de Investigaciones Científicas y Tecnológicas en Electrónica; Argentina  
dc.description.fil
Fil: Pittet, S.. Cern - European Organization for Nuclear Research; Suiza  
dc.journal.title
Power Electronic Devices and Components  
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/https://doi.org/10.1016/j.pedc.2023.100048