Mostrar el registro sencillo del ítem
dc.contributor.author
Kleiman, Ariel Javier
![Se ha confirmado la validez de este valor de autoridad por un usuario](/themes/CONICETDigital/images/authority_control/invisible.gif)
dc.contributor.author
Peralta, Carlos Adolfo
![Se ha confirmado la validez de este valor de autoridad por un usuario](/themes/CONICETDigital/images/authority_control/invisible.gif)
dc.contributor.author
Abinzano, I.
dc.contributor.author
Vega, Daniel Roberto
![Se ha confirmado la validez de este valor de autoridad por un usuario](/themes/CONICETDigital/images/authority_control/invisible.gif)
dc.contributor.author
Halac, E.
dc.contributor.author
Marquez, Adriana Beatriz
![Se ha confirmado la validez de este valor de autoridad por un usuario](/themes/CONICETDigital/images/authority_control/invisible.gif)
dc.contributor.author
Acha, Carlos Enrique
![Se ha confirmado la validez de este valor de autoridad por un usuario](/themes/CONICETDigital/images/authority_control/invisible.gif)
dc.date.available
2024-02-26T14:31:44Z
dc.date.issued
2023-01
dc.identifier.citation
Kleiman, Ariel Javier; Peralta, Carlos Adolfo; Abinzano, I.; Vega, Daniel Roberto; Halac, E.; et al.; Tuning the active interface in TiO2 thin film-based memristors prepared by PVD; Elsevier; Ceramics International; 49; 9; 1-2023; 14563-14570
dc.identifier.issn
0272-8842
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/228417
dc.description.abstract
In this work, the resistive switching and the conducting mechanism of forming-free TiO2 thin films between Ti and Pt electrodes were investigated. The devices were fabricated employing Physical Vapor Deposition (PVD) methods. Ti/TiO2 films were prepared with a cathodic arc system while Pt contacts were deposited by sputtering. Different TiO2 structures (amorphous, anatase, rutile) and thicknesses (60–240 nm) were analyzed through current-voltage (IV) characteristic curves and resistance hysteresis switching loops (RHSL). Amorphous TiO2 produced more conductive devices, with a circulation path, both in IV and RHSL, opposite to that of crystalline TiO2. From these results, the TiO2–Ti was found to be the active interface in devices based on the amorphous phase, while the Pt–TiO2 interface was the active one for anatase and rutile. The results showed that the selection of the TiO2 growth conditions allows to tune which will be the active interface that produces the resistive changes by choosing the structure of the films, as well as the degree of non-linearity of the electrical conduction of the device by varying the thickness of the TiO2 (anatase) film.
dc.format
application/pdf
dc.language.iso
eng
dc.publisher
Elsevier
![Se ha confirmado la validez de este valor de autoridad por un usuario](/themes/CONICETDigital/images/authority_control/invisible.gif)
dc.rights
info:eu-repo/semantics/restrictedAccess
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.subject
A. FILMS
dc.subject
C. ELECTRICAL PROPERTIES
dc.subject
D. TIO2
dc.subject
RESISTIVE SWITCHING
dc.subject.classification
Recubrimientos y Películas
![Se ha confirmado la validez de este valor de autoridad por un usuario](/themes/CONICETDigital/images/authority_control/invisible.gif)
dc.subject.classification
Ingeniería de los Materiales
![Se ha confirmado la validez de este valor de autoridad por un usuario](/themes/CONICETDigital/images/authority_control/invisible.gif)
dc.subject.classification
INGENIERÍAS Y TECNOLOGÍAS
![Se ha confirmado la validez de este valor de autoridad por un usuario](/themes/CONICETDigital/images/authority_control/invisible.gif)
dc.subject.classification
Nano-materiales
![Se ha confirmado la validez de este valor de autoridad por un usuario](/themes/CONICETDigital/images/authority_control/invisible.gif)
dc.subject.classification
Nanotecnología
![Se ha confirmado la validez de este valor de autoridad por un usuario](/themes/CONICETDigital/images/authority_control/invisible.gif)
dc.subject.classification
INGENIERÍAS Y TECNOLOGÍAS
![Se ha confirmado la validez de este valor de autoridad por un usuario](/themes/CONICETDigital/images/authority_control/invisible.gif)
dc.subject.classification
Física de los Materiales Condensados
![Se ha confirmado la validez de este valor de autoridad por un usuario](/themes/CONICETDigital/images/authority_control/invisible.gif)
dc.subject.classification
Ciencias Físicas
![Se ha confirmado la validez de este valor de autoridad por un usuario](/themes/CONICETDigital/images/authority_control/invisible.gif)
dc.subject.classification
CIENCIAS NATURALES Y EXACTAS
![Se ha confirmado la validez de este valor de autoridad por un usuario](/themes/CONICETDigital/images/authority_control/invisible.gif)
dc.title
Tuning the active interface in TiO2 thin film-based memristors prepared by PVD
dc.type
info:eu-repo/semantics/article
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.date.updated
2024-02-26T11:08:11Z
dc.journal.volume
49
dc.journal.number
9
dc.journal.pagination
14563-14570
dc.journal.pais
Países Bajos
![Se ha confirmado la validez de este valor de autoridad por un usuario](/themes/CONICETDigital/images/authority_control/invisible.gif)
dc.journal.ciudad
Amsterdam
dc.description.fil
Fil: Kleiman, Ariel Javier. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Instituto de Física del Plasma. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Instituto de Física del Plasma; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Departamento de Física; Argentina
dc.description.fil
Fil: Peralta, Carlos Adolfo. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Departamento de Física; Argentina
dc.description.fil
Fil: Abinzano, I.. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Departamento de Física; Argentina
dc.description.fil
Fil: Vega, Daniel Roberto. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina
dc.description.fil
Fil: Halac, E.. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Universidad Nacional de San Martín. Escuela de Ciencia y Tecnología; Argentina
dc.description.fil
Fil: Marquez, Adriana Beatriz. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Instituto de Física del Plasma. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Instituto de Física del Plasma; Argentina. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Departamento de Física; Argentina
dc.description.fil
Fil: Acha, Carlos Enrique. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Departamento de Física; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Instituto de Física de Buenos Aires. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ciencias Exactas y Naturales. Instituto de Física de Buenos Aires; Argentina
dc.journal.title
Ceramics International
![Se ha confirmado la validez de este valor de autoridad por un usuario](/themes/CONICETDigital/images/authority_control/invisible.gif)
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0272884223000469
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1016/j.ceramint.2023.01.046
Archivos asociados