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dc.contributor.author
Benazouz, Ouafa
dc.contributor.author
Kezzoula, Faouzi
dc.contributor.author
Schmidt, Javier Alejandro
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dc.contributor.author
Larbah, Youssef
dc.contributor.author
Kechouane, Mohamed
dc.date.available
2024-02-05T14:25:39Z
dc.date.issued
2023-09
dc.identifier.citation
Benazouz, Ouafa; Kezzoula, Faouzi; Schmidt, Javier Alejandro; Larbah, Youssef; Kechouane, Mohamed; The effect of dehydrogenation step on the nickel-induced crystallization of hydrogenated amorphous silicon; Springer; Applied Physics A: Materials Science and Processing; 129; 10; 9-2023; 1-7
dc.identifier.issn
0947-8396
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/225809
dc.description.abstract
This work investigates the nickel-induced crystallization (NIC) method for crystallizing hydrogenated amorphous silicon (a-Si: H) thin films on glass substrates. The a-Si: H samples are prepared using plasma-enhanced chemical vapor deposition at a temperature of 250 °C. Subsequently, thin layers of nickel are deposited on the a-Si: H films using DC magnetron sputtering. The resulting structures (Ni/a-Si: H/glass) are then subjected to annealing at 570 °C under an N2 atmosphere. Two annealing processes are compared: one involving a prior dehydrogenation step and the other without dehydrogenation. The impact of the annealing process on the crystallization of the amorphous films is investigated using X-ray diffraction, atomic force microscopy, scanning electron microscopy, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), and Raman spectroscopy. The crystallinity of the samples is confirmed by X-ray diffraction and Raman spectroscopy. The results suggest that the dehydrogenation step may not be essential for achieving crystallization in hydrogenated amorphous silicon layers.
dc.format
application/pdf
dc.language.iso
eng
dc.publisher
Springer
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dc.rights
info:eu-repo/semantics/restrictedAccess
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.subject
HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON
dc.subject
NIC
dc.subject
RAMAN
dc.subject
X-RAY DIFFRACTION
dc.subject.classification
Física de los Materiales Condensados
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dc.subject.classification
Ciencias Físicas
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dc.subject.classification
CIENCIAS NATURALES Y EXACTAS
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dc.subject.classification
Otras Ingeniería de los Materiales
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dc.subject.classification
Ingeniería de los Materiales
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dc.subject.classification
INGENIERÍAS Y TECNOLOGÍAS
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dc.title
The effect of dehydrogenation step on the nickel-induced crystallization of hydrogenated amorphous silicon
dc.type
info:eu-repo/semantics/article
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.date.updated
2024-02-05T13:49:02Z
dc.journal.volume
129
dc.journal.number
10
dc.journal.pagination
1-7
dc.journal.pais
Alemania
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dc.journal.ciudad
Berlin
dc.description.fil
Fil: Benazouz, Ouafa. University of Science and Technology Houari Boumediene; Argelia
dc.description.fil
Fil: Kezzoula, Faouzi. No especifíca;
dc.description.fil
Fil: Schmidt, Javier Alejandro. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Física del Litoral. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Física del Litoral; Argentina
dc.description.fil
Fil: Larbah, Youssef. No especifíca;
dc.description.fil
Fil: Kechouane, Mohamed. University of Science and Technology Houari Boumediene; Argelia
dc.journal.title
Applied Physics A: Materials Science and Processing
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dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://link.springer.com/10.1007/s00339-023-06980-9
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1007/s00339-023-06980-9
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