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dc.contributor.author
Rinaldi, Pablo Andres
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dc.contributor.author
Koropecki, Roberto Roman
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dc.contributor.author
Buitrago, Roman Horacio
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dc.date.available
2017-07-17T21:24:53Z
dc.date.issued
2007-12
dc.identifier.citation
Rinaldi, Pablo Andres; Koropecki, Roberto Roman; Buitrago, Roman Horacio; Estudio del proceso de cristalización en películas delgadas de a-Si:H mediante reflectancia en UV; Asociación Física Argentina; Anales AFA; 19; 1; 12-2007; 187-190
dc.identifier.issn
0327-358X
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/20769
dc.description.abstract
En este trabajo se presentan resultados del estudio del grado y características de la cristalización en muestras de película delgada de silicio amorfo hidrogenado, depositada por PECVD, las cuales fueron sometidas a varios procesos térmicos. Se utilizó espectrometría en la región ultravioleta y visible, rayos X y Raman. La altura de los picos característicos del silicio cristalino, que aparecen en el espectro de reflectancia a 276 y 356nm es un buen indicador del grado de cristalinidad, permitiendo caracterizar las etapas de nucleación y crecimiento del grano cristalino.
dc.description.abstract
In this paper results of the study of crystallization characteristics in annealed samples are presented. The samples were deposited by PECVD and then were are exposed to several thermal processes. Spectrometry in the UV and visible region, X-ray diffraction and Raman were used. The height of the peaks appearing at 276 and 356nm, which are characteristic of crystalline silicon, is a good indicator of crystallinity, and allow the characterisation of nucleation and growth of crystalline grains.
dc.format
application/pdf
dc.language.iso
spa
dc.publisher
Asociación Física Argentina
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dc.rights
info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.subject.classification
Física de los Materiales Condensados
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dc.subject.classification
Ciencias Físicas
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dc.subject.classification
CIENCIAS NATURALES Y EXACTAS
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dc.title
Estudio del proceso de cristalización en películas delgadas de a-Si:H mediante reflectancia en UV
dc.title
Crystallization process in hydrogenated amorphous silicon thin films: an uv reflectance study
dc.type
info:eu-repo/semantics/article
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.date.updated
2017-07-13T18:46:31Z
dc.journal.volume
19
dc.journal.number
1
dc.journal.pagination
187-190
dc.journal.pais
Argentina
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dc.description.fil
Fil: Rinaldi, Pablo Andres. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina
dc.description.fil
Fil: Koropecki, Roberto Roman. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina
dc.description.fil
Fil: Buitrago, Roman Horacio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina
dc.journal.title
Anales AFA
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dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://anales.fisica.org.ar/journal/index.php/analesafa/article/view/254
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