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dc.contributor.author
Faigon, Adrián Néstor  
dc.contributor.author
Martinez Vazquez, Ignacio José  
dc.contributor.author
Carbonetto, Sebastián Horacio  
dc.contributor.author
García Inza, Mariano Andrés  
dc.date.available
2017-07-11T21:17:50Z  
dc.date.issued
2017-03  
dc.identifier.citation
Faigon, Adrián Néstor; Martinez Vazquez, Ignacio José; Carbonetto, Sebastián Horacio; García Inza, Mariano Andrés; Floating Gate sensor for in-vivo dosimetry in radiation therapies: design and first characterization; IOP Publishing; Journal of Physics: Conference Series; 792; 1; 3-2017; 1-7  
dc.identifier.issn
1742-6588  
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/20189  
dc.description.abstract
A floating gate dosimeter was designed and fabricated in a standard CMOS technology. The design guides and characterization are presented. The characterization included the controlled charging by tunneling of the floating gate, and its discharging under irradiation while measuring the transistor drain current whose change is the measure of the absorbed dose. The resolution of the obtained device is close to 1 cGy satisfying the requirements for most radiation therapies dosimetry. Pending statistical proofs, the dosimeter is a potential candidate for wide in-vivo control of radiotherapy treatments.  
dc.format
application/pdf  
dc.language.iso
eng  
dc.publisher
IOP Publishing  
dc.rights
info:eu-repo/semantics/openAccess  
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by/2.5/ar/  
dc.subject
Mos Dosimeter  
dc.subject
Floating Gate  
dc.subject
Radiation Effects  
dc.subject.classification
Otras Ciencias Físicas  
dc.subject.classification
Ciencias Físicas  
dc.subject.classification
CIENCIAS NATURALES Y EXACTAS  
dc.title
Floating Gate sensor for in-vivo dosimetry in radiation therapies: design and first characterization  
dc.type
info:eu-repo/semantics/article  
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo  
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion  
dc.date.updated
2017-07-10T14:54:11Z  
dc.journal.volume
792  
dc.journal.number
1  
dc.journal.pagination
1-7  
dc.journal.pais
Reino Unido  
dc.journal.ciudad
Bristol  
dc.description.fil
Fil: Faigon, Adrián Néstor. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos Microelectrónica; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina  
dc.description.fil
Fil: Martinez Vazquez, Ignacio José. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos Microelectrónica; Argentina  
dc.description.fil
Fil: Carbonetto, Sebastián Horacio. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos Microelectrónica; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina  
dc.description.fil
Fil: García Inza, Mariano Andrés. Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Física. Laboratorio de Física de Dispositivos Microelectrónica; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina  
dc.journal.title
Journal of Physics: Conference Series  
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/792/1/012057  
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/792/1/012057