Estudio Comparativo de la Densidad de Estados en Muestras de Silicio Microcristalino Obtenida a Través del Método de Conductividad Térmicamente Estimulada y Técnicas de Fotoconductividad Modulada

Abstract

En este trabajo se presenta un estudio de la densidad de estados (DOS) obtenida en muestras de silicio microcristalino dopadas con Boro [µc-Si:H (B)] a través del método de conductividad térmicamente estimulada (TSC) y comparada con los resultados obtenidos a partir de los métodos de fotoconductividad modulada. Para explicar la discrepancia entre la DOS obtenida por TSC y la obtenida por los otros métodos, se muestra, a partir de simulaciones, que la DOS es sensible al error experimental introducido en el cálculo del producto µntn (movilidad del electrón × tiempo de vida del electrón). El método TSC se aplica aquí por primera vez a muestras de µc-Si:H para calcular la densidad de estados de defecto en la banda prohibida del material.

In this work density of states (DOS) was obtained on boron-doped microcrystalline silicon samples [µc-Si:H (B)] from the thermally stimulated conductivity (TSC) technique and compared with results obtained by the modulated photoconductivity methods. To explain the poor agreement between the DOS obtained from the TSC and the other methods, it is shown by means of numerical simulations that the DOS is very sensitive to experimental errors introduced in the calculation of the µntn product (mobility of electron × lifetime of the electron). The TSC method is applied here for the first time to calculate the density of defect states in the forbidden band of µc-Si:H samples.