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dc.contributor.author
Palumbo, Félix Roberto Mario
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dc.contributor.author
Faigon, Adrián Néstor
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dc.contributor.author
Curro, Giuseppe
dc.date.available
2023-03-07T12:12:00Z
dc.date.issued
2011-05
dc.identifier.citation
Palumbo, Félix Roberto Mario; Faigon, Adrián Néstor; Curro, Giuseppe; Electrical correlation of double-diffused metaloxidesemiconductor transistors exposed to gamma photons, protons, and hot carriers; Institute of Electrical and Electronics Engineers; Ieee Transactions On Electron Devices; 58; 5; 5-2011; 1476-1482
dc.identifier.issn
0018-9383
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/189784
dc.description.abstract
Double-diffused metaloxidesemiconductor n-channel power transistor devices were subjected to a high electric-field stress, gamma photons 60Co, and 10-MeV proton radiation, and were comparatively analyzed. The direct-current currentvoltage and high-frequency capacitancevoltage techniques were used to characterize the two different regions under the gate oxide in this kind of devices. The SiSiO2 interfaces at the channel side and at the drain side are characterized after thermal annealing. The correlation of the interface states with the trapped charge is a good quantitative tool to compare the effects from different degradation mechanisms. It is shown that, under given conditions, each kind of stress exhibits its own signature in the interface states versus the oxide charge plot.
dc.format
application/pdf
dc.language.iso
eng
dc.publisher
Institute of Electrical and Electronics Engineers
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dc.rights
info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.subject
METALOXIDESEMICONDUCTOR (MOS)
dc.subject
RADIATION EFFECTS
dc.subject
RELIABILITY
dc.subject.classification
Física Nuclear
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dc.subject.classification
Ciencias Físicas
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dc.subject.classification
CIENCIAS NATURALES Y EXACTAS
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dc.title
Electrical correlation of double-diffused metaloxidesemiconductor transistors exposed to gamma photons, protons, and hot carriers
dc.type
info:eu-repo/semantics/article
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.date.updated
2023-03-07T11:24:08Z
dc.journal.volume
58
dc.journal.number
5
dc.journal.pagination
1476-1482
dc.journal.pais
Estados Unidos
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dc.description.fil
Fil: Palumbo, Félix Roberto Mario. Comisión Nacional de Energía Atómica; Argentina. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina
dc.description.fil
Fil: Faigon, Adrián Néstor. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Universidad de Buenos Aires; Argentina
dc.description.fil
Fil: Curro, Giuseppe. No especifíca;
dc.journal.title
Ieee Transactions On Electron Devices
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dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=5741000
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1109/TED.2011.2108656
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