Artículo
Junturas Si-poroso/SnO2:F. Efecto del dopaje en las propiedades eléctricas y estructurales
Título:
Porous silicon/sno2:f junction. effect of doping on the electrical and structural properties
Garces Pineda, Felipe Andres
; Acquaroli, Leandro Nicolás
; Dussan, A.; Koropecki, Roberto Roman
; Arce, Roberto Delio
; Acquaroli, Leandro Nicolás
; Dussan, A.; Koropecki, Roberto Roman
; Arce, Roberto Delio
Fecha de publicación:
09/2012
Editorial:
Asociación Física Argentina
Revista:
Anales Afa
ISSN:
0327-358X
Idioma:
Español
Tipo de recurso:
Artículo publicado
Clasificación temática:
Resumen
En este trabajo se presentan resultados de la caracterización eléctrica y estructural de junturas del tipo Schottky, obtenidas a través de la deposición de SnO2:F sobre silicio poroso, utilizando la vía Sol-Gel como mecanismo de deposición. Parámetros estructurales del SnO2, como el parámetro de red y el tamaño de cristal fueron relacionados con la concentración del dopante. También se analizaron los efectos de este dopante (F) sobre algunas propiedades eléctricas como: la resistencia en serie, factor de idealidad, corriente de saturación inversa y corriente foto generada.
Palabras clave:
Diodo Schottky
,
Silicio Poroso
,
Tco
,
Sol-Gel
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Tamaño:
750.5Kb
Formato:
PDF
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Articulos de INST.DE DES.TECNOL.PARA LA IND.QUIMICA (I)
Articulos de INST.DE DES.TECNOL.PARA LA IND.QUIMICA (I)
Citación
Garces Pineda, Felipe Andres; Acquaroli, Leandro Nicolás; Dussan, A.; Koropecki, Roberto Roman; Arce, Roberto Delio; Junturas Si-poroso/SnO2:F. Efecto del dopaje en las propiedades eléctricas y estructurales; Asociación Física Argentina; Anales Afa; 22; 2; 9-2012; 32-36
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