Repositorio Institucional
Repositorio Institucional
CONICET Digital
  • Inicio
  • EXPLORAR
    • AUTORES
    • DISCIPLINAS
    • COMUNIDADES
  • Estadísticas
  • Novedades
    • Noticias
    • Boletines
  • Ayuda
    • General
    • Datos de investigación
  • Acerca de
    • CONICET Digital
    • Equipo
    • Red Federal
  • Contacto
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.
  • INFORMACIÓN GENERAL
  • RESUMEN
  • ESTADISTICAS
 
Artículo

Fracción de Volumen Cristalina en Muestras de µc-Si Dopadas con Boro Obtenida Mediante Espectroscopia Raman

Dussan, A.; Schmidt, Javier AlejandroIcon
Fecha de publicación: 01/2009
Editorial: Sociedad Colombiana de Física
Revista: Revista Colombiana de Física
ISSN: 0120-2650
Idioma: Español
Tipo de recurso: Artículo publicado
Clasificación temática:
Física de los Materiales Condensados

Resumen

 
En este trabajo, se depositaron muestras de silicio microcristalino dopadas con Boro (μc-Si:H (B)) a partir del método de deposición química en fase de vapor asistida por plasma (PECVD), usando silano (SiH4) diluido en hidrógeno, y diborano (B2H6) como gas dopante. La concentración de diborano se varió en el rango entre 0 y 100 ppm. Se realizó un estudio de las propiedades estructurales a partir de la técnica de espectroscopia Raman. Los espectros Raman revelaron un aumento en la fracción de volumen cristalina (Xc) de las muestras a medida que la concentración de Boro aumentaba desde 0 a 75 ppm. Por encima de 75 ppm se encontró que la Xc decrece nuevamente indicando una amorfización en el material.
 
In this work, boron doped microcrystalline silicon films (μc-Si:H (B)) was deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD), using silane (SiH4) diluted in hydrogen, and diborane (B2H6) as a dopant gas. The concentration of B2H6 was varied in the range of 0 – 100 ppm. The structural properties of the films have been investigated by Raman mea-surements. A progressive increase in the crystalline volume fraction for concentrations from 0 to 75 ppm was detected; whereas for boron concentrations above 75 ppm was observed a reduction of XC, which indicates an amorphization of the material.
 
Palabras clave: Semiconductores , Raman , Películas Delgadas , Silicio Microcristalino
Ver el registro completo
 
Archivos asociados
Thumbnail
 
Tamaño: 205.5Kb
Formato: PDF
.
Descargar
Licencia
info:eu-repo/semantics/openAccess Excepto donde se diga explícitamente, este item se publica bajo la siguiente descripción: Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 2.5 Unported (CC BY-NC-SA 2.5)
Identificadores
URI: http://hdl.handle.net/11336/17105
Colecciones
Articulos(INTEC)
Articulos de INST.DE DES.TECNOL.PARA LA IND.QUIMICA (I)
Citación
Dussan, A.; Schmidt, Javier Alejandro; Fracción de Volumen Cristalina en Muestras de µc-Si Dopadas con Boro Obtenida Mediante Espectroscopia Raman; Sociedad Colombiana de Física; Revista Colombiana de Física; 41; 1; 1-2009; 82-84
Compartir

Enviar por e-mail
Separar cada destinatario (hasta 5) con punto y coma.
  • Facebook
  • X Conicet Digital
  • Instagram
  • YouTube
  • Sound Cloud
  • LinkedIn

Los contenidos del CONICET están licenciados bajo Creative Commons Reconocimiento 2.5 Argentina License

https://www.conicet.gov.ar/ - CONICET

Inicio

Explorar

  • Autores
  • Disciplinas
  • Comunidades

Estadísticas

Novedades

  • Noticias
  • Boletines

Ayuda

Acerca de

  • CONICET Digital
  • Equipo
  • Red Federal

Contacto

Godoy Cruz 2290 (C1425FQB) CABA – República Argentina – Tel: +5411 4899-5400 repositorio@conicet.gov.ar
TÉRMINOS Y CONDICIONES