Evidencia de la Regla Meyer-Neldel y su Relacion con las Propiedades de Transporte en Películas Delgadas de mc-Si

Abstract

En este trabajo se presenta un estudio de la dependencia de la conductividad a oscuras con la temperatura en muestras de silicio microcristalino dopadas con Boro [mc-Si:H (B)]. Las muestras fueron depositadas por la técnica de deposición química en fase de vapor asistida por plasma (PECVD). Una serie de seis muestras fueron depositas sobre vidrio Corning 7059 variando la concentración de Boro de 0 a 100 ppm. Se calcula, a partir del gráfico de Arrhenius, las energías de activación en la región de altas temperaturas. Se observa que el conjunto de muestras, variando su composición, exhibe un comportamiento Meyer- Neldel (MNR) y se obtienen los valores del pre-factor exponencial MN (KBTMN) y la energía característica MN (EMN). Se realiza un estudio de las propiedades de transporte que rige este material y se establece una relación con la MNR evidenciada en las muestras.

In this work measurements dark conductivity was obtained on boron-doped microcrystalline silicon samples [mc-Si:H (B)]. Microcrystalline silicon samples were prepared in a conventional capacitively coupled PECVD reactor. A series of six mc- Si:H samples deposited on Corning 7059 glass substrates was prepared, using Boron fractions from 0 to 100 ppm in order to allow different compensation degrees. From the Arrhenius behavior of conduction were obtained the activation energy for high temperature region. The activation energy and pre-exponential factor obtained satisfies the Meyer-Neldel rule (MNR). Pre-exponential factor (KBTMN) and characteristic energy MN (EMN) were obtained. In this work we have shown correlations between transport properties and MNR relation on samples.