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dc.contributor.author
Sambuco Salomone, Lucas Ignacio
dc.contributor.author
García Inza, Mariano Andrés
dc.contributor.author
Carbonetto, Sebastián Horacio
dc.contributor.author
Faigon, Adrián Néstor
dc.date.available
2022-09-06T17:25:21Z
dc.date.issued
2021-11
dc.identifier.citation
Sambuco Salomone, Lucas Ignacio; García Inza, Mariano Andrés; Carbonetto, Sebastián Horacio; Faigon, Adrián Néstor; Numerical modeling of radiation-induced charge loss in CMOS floating gate cells; Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Electrónica; Elektron; 5; 2; 11-2021; 100-104
dc.identifier.issn
2525-0159
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/167605
dc.description.abstract
Mediante un modelo numérico desarrollado recientemente y basado en principios físicos, se estudia la respuesta a la radiación de celdas de compuerta flotante programadas/borradas. El rol que juega la captura de carga en los óxidos en el desplazamiento total de la tensión umbral con la dosis es debidamente evaluado a través de la variación de la tasa de captura de los huecos generados por radiación. Se considera un modelo analítico simplificado y se discuten sus limitaciones.
dc.description.abstract
The radiation response of programmed/erased floating gate cells is studied by numerical simulations through a recently developed physics-based numerical model. The role played by oxide trapped charge in the overall threshold voltage shift with dose is properly evaluated by varying the capture rate of radiation-generated holes. A simplified analytical model is considered, and its limitations are discussed.
dc.format
application/pdf
dc.language.iso
eng
dc.publisher
Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Departamento de Electrónica
dc.rights
info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/ar/
dc.subject
RADIATION EFFECTS
dc.subject
FLOATING GATE CELLS
dc.subject
NUMERICAL MODELING
dc.subject.classification
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
dc.subject.classification
Ingeniería Eléctrica, Ingeniería Electrónica e Ingeniería de la Información
dc.subject.classification
INGENIERÍAS Y TECNOLOGÍAS
dc.title
Numerical modeling of radiation-induced charge loss in CMOS floating gate cells
dc.title
Modelización numérica de la pérdida de carga inducida por radiación en celdas CMOS de puerta flotante
dc.type
info:eu-repo/semantics/article
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.date.updated
2022-09-05T19:24:41Z
dc.journal.volume
5
dc.journal.number
2
dc.journal.pagination
100-104
dc.journal.pais
Argentina
dc.description.fil
Fil: Sambuco Salomone, Lucas Ignacio. Universidad de Buenos Aires; Argentina
dc.description.fil
Fil: García Inza, Mariano Andrés. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"; Argentina
dc.description.fil
Fil: Carbonetto, Sebastián Horacio. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"; Argentina
dc.description.fil
Fil: Faigon, Adrián Néstor. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Houssay. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long". Universidad de Buenos Aires. Facultad de Ingeniería. Instituto de Tecnologías y Ciencias de la Ingeniería "Hilario Fernández Long"; Argentina
dc.journal.title
Elektron
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/https://doi.org/10.37537/rev.elektron.5.2.136.2021
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://elektron.fi.uba.ar/index.php/elektron/article/view/136
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