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dc.contributor.author
Longeaud, C.
dc.contributor.author
Ventosinos, Federico
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dc.contributor.author
Schmidt, Javier Alejandro
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dc.date.available
2022-01-17T14:03:24Z
dc.date.issued
2012-07
dc.identifier.citation
Longeaud, C.; Ventosinos, Federico; Schmidt, Javier Alejandro; Determination of hydrogenated amorphous silicon electronic transport parameters and density of states using several photoconductivity techniques; American Institute of Physics; Journal of Applied Physics; 112; 2; 7-2012; 237091-2370910
dc.identifier.issn
0021-8979
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/150155
dc.description.abstract
In this paper, we show that the combination of different characterization techniques based on the photoconductivity of hydrogenated amorphous silicon can be a tool to investigate on the density of states and transport parameters of this material. We insist mainly on two techniques in which one records a photocurrent resulting from the movement of an interference grating onto a sample. We describe the experimental set-ups and provide a theoretical explanation of the observed behaviors of these photocurrents. We demonstrate that a density of state spectroscopy can be done with these techniques. Additionally, comparing this spectroscopy to that performed with modulated photocurrent experiment, we show that it is possible to derive a good order of magnitude estimate of the electron capture coefficient of the conduction band tail states as well as the electronic extended states mobility. The derived parameters are compared with previous results. © 2012 American Institute of Physics.
dc.format
application/pdf
dc.language.iso
eng
dc.publisher
American Institute of Physics
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dc.rights
info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.subject
PHOTOCONDUCTIVITY
dc.subject
DENSITY OF STATES
dc.subject
HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON
dc.subject.classification
Física de los Materiales Condensados
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dc.subject.classification
Ciencias Físicas
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dc.subject.classification
CIENCIAS NATURALES Y EXACTAS
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dc.subject.classification
Otras Ingeniería de los Materiales
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dc.subject.classification
Ingeniería de los Materiales
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dc.subject.classification
INGENIERÍAS Y TECNOLOGÍAS
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dc.title
Determination of hydrogenated amorphous silicon electronic transport parameters and density of states using several photoconductivity techniques
dc.type
info:eu-repo/semantics/article
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.date.updated
2021-12-13T18:53:33Z
dc.journal.volume
112
dc.journal.number
2
dc.journal.pagination
237091-2370910
dc.journal.pais
Estados Unidos
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dc.journal.ciudad
New York
dc.description.fil
Fil: Longeaud, C.. Laboratoire de Génie Electrique Et Electronique de Paris; Francia
dc.description.fil
Fil: Ventosinos, Federico. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina
dc.description.fil
Fil: Schmidt, Javier Alejandro. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química; Argentina
dc.journal.title
Journal of Applied Physics
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dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1063/1.4737790
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