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dc.contributor.author
Schmidt, Javier Alejandro
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dc.contributor.author
Goldie, David
dc.date.available
2021-09-29T15:50:21Z
dc.date.issued
2020-10
dc.identifier.citation
Schmidt, Javier Alejandro; Goldie, David; Photocurrent decay from the steady-state in thin film hydrogenated amorphous silicon: Numerical simulation analysis of experimental results; Elsevier Science SA; Thin Solid Films; 696; 10-2020; 1377931-1377937
dc.identifier.issn
0040-6090
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/141888
dc.description.abstract
Starting from the multiple trapping rate equations that define the non-equilibrium concentrations of electrons and holes in extended states, the experiment of photocurrent decay from the steady-state is examined. A system of non-linear coupled differential equations is solved to get the temporal evolution of the occupation functions and the carrier concentrations after cessation of the illumination. Different expressions proposed in the literature to evaluate the carrier lifetimes from the photocurrent decay data are critically examined. Measurements performed on a series of hydrogenated amorphous silicon samples deposited at different substrate temperatures are reproduced by the simulations. It is found that the response time determined from the photocurrent initial rate-of-decay provides an excellent estimation of the free lifetime of the majority carrier, provided the decay is recorded from sufficiently short times. It is also found that the common recombination lifetime can also be estimated from the photocurrent decay data.
dc.format
application/pdf
dc.language.iso
eng
dc.publisher
Elsevier Science SA
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dc.rights
info:eu-repo/semantics/restrictedAccess
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.subject
AMORPHOUS SILICON
dc.subject
COMPUTER SIMULATIONS
dc.subject
DEFECT MODEL
dc.subject
EXPERIMENTAL METHODS
dc.subject
PHOTOCURRENT DECAY
dc.subject
RECOMBINATION
dc.subject.classification
Física de los Materiales Condensados
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dc.subject.classification
Ciencias Físicas
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dc.subject.classification
CIENCIAS NATURALES Y EXACTAS
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dc.subject.classification
Otras Ingeniería de los Materiales
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dc.subject.classification
Ingeniería de los Materiales
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dc.subject.classification
INGENIERÍAS Y TECNOLOGÍAS
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dc.title
Photocurrent decay from the steady-state in thin film hydrogenated amorphous silicon: Numerical simulation analysis of experimental results
dc.type
info:eu-repo/semantics/article
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.date.updated
2021-03-15T14:35:07Z
dc.journal.volume
696
dc.journal.pagination
1377931-1377937
dc.journal.pais
Países Bajos
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dc.journal.ciudad
Amsterdam
dc.description.fil
Fil: Schmidt, Javier Alejandro. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Santa Fe. Instituto de Física del Litoral. Universidad Nacional del Litoral. Instituto de Física del Litoral; Argentina
dc.description.fil
Fil: Goldie, David. University Of Dundee; Reino Unido
dc.journal.title
Thin Solid Films
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dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2020.137793
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