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Artículo

Adsorbate-induced roughening of Si(100) by interactions at steps

Butera, R. E.; Mirabella, D. A.; Aldao, Celso ManuelIcon ; Weaver, J. H.
Fecha de publicación: 19/07/2010
Editorial: American Physical Society
Revista: Physical Review B
ISSN: 0163-1829
Idioma: Inglés
Tipo de recurso: Artículo publicado
Clasificación temática:
Física de los Materiales Condensados

Resumen

Through a detailed study of Cl adsorption on Si(100) using scanning-tunneling microscopy, we identified sites at steps where adsorption leads to roughening and the formation of extended pits and regrowth structures. Using the equilibrium occupation probabilities obtained from experiment, we were able to identify first-nearest-neighbor interactions that destabilized the surface and, when included in Monte Carlo simulations, reproduced the observed pit and regrowth structures. These findings force a reevaluation of currently proposed mechanisms for roughening.
Palabras clave: Roughening , Silicon , Steps
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info:eu-repo/semantics/openAccess Excepto donde se diga explícitamente, este item se publica bajo la siguiente descripción: Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 2.5 Unported (CC BY-NC-SA 2.5)
Identificadores
URI: http://hdl.handle.net/11336/13841
URL: http://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.82.045309
DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.82.045309
Colecciones
Articulos(INTEMA)
Articulos de INST.DE INV.EN CIENCIA Y TECNOL.MATERIALES (I)
Citación
Butera, R. E.; Mirabella, D. A.; Aldao, Celso Manuel; Weaver, J. H.; Adsorbate-induced roughening of Si(100) by interactions at steps; American Physical Society; Physical Review B; 82; 4; 19-7-2010; 45309-45309
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